EP3SL50F780C3N 时间：2023/8/1 11:12:27 阅读：387

产品概述

产品型号	EP3SL50F780C3N
描述	集成电路FPGA 488 I/O 780FBGA
分类	集成电路(IC)，嵌入式-FPGA(现场可编程门阵列)
制造商	英特尔
系列	Stratix?III L
打包	托盘
零件状态	过时的
电压-电源	0.86V?1.15V
工作温度	0°C?85°C(TJ)
包装/箱	780-BBGA，FCBGA
供应商设备包装	780-FBGA(29x29)
基本零件号	EP3SL50

产品图片

EP3SL50F780C3N

规格参数

可编程逻辑类型	现场可编程门阵列
符合欧盟RoHS	是
状态	转入
最大时钟频率	717.0兆赫
JESD-30代码	S-PBGA-B780
JESD-609代码	1号
总RAM位	2184192
输入数量	488.0
逻辑单元数	47500.0
输出数量	488.0
端子数	780
最低工作温度	0℃
最高工作温度	85℃
电源	1.2 / 3.3
资格状态	不合格
座高	3.5毫米
子类别	现场可编程门阵列
电源电压标称	0.9伏
最小供电电压	0.86伏
最大电源电压	0.94伏
安装类型	表面贴装
技术	CMOS
温度等级	其他
终端完成	锡/银/铜(Sn / Ag / Cu)
终端表格	球
端子间距	1.0毫米
终端位置	底部
长度	29.0毫米
宽度	29.0毫米
附加功能	它也可以在1.05至1.15V的电源范围内工作
包装主体材料	塑料/环氧树脂
包装代码	BGA
包装等效代码	BGA780,28X28,40
包装形状	广场
包装形式	网格阵列
制造商包装说明	无铅FBGA-780

环境与出口分类

无铅状态/RoHS状态	无铅/符合RoHS
水分敏感性水平(MSL)	3(168小时)

特点

48,000至338,000个等效逻辑元素(LE)(请参阅表1-1)
2,430至20,497 Kbit的增强型TriMatrix存储器，由三种RAM块大小组成，可实现真正的双端口存储器和FIFO缓冲区
高速DSP模块提供9×9、12×12、18×18和36×36乘法器(最高550 MHz)，乘法累加功能和有限脉冲响应(FIR)滤波器的专用实现
I / O：GND：PWR比率为8：1：1，同时通过片上和封装上的去耦实现强大的信号完整性
可编程电源技术，可在最大程度降低功耗的同时最大化设备性能
低压设备中可用的可选核心电压(L订货代码后缀)使您能够选择最低功率或最高性能
每个设备最多16个全局时钟，88个区域时钟和116个外围时钟
每个设备多达12个锁相环(PLL)，支持PLL重配置，时钟切换，可编程带宽，时钟合成和动态相移
所有I / O bank均具有专用DQS逻辑的内存接口支持
支持多达24个模块化I / O bank上的高速外部存储器接口，包括DDR，DDR2，DDR3 SDRAM，RLDRAM II，QDR II和QDR II + SRAM
多达1,104个用户I / O引脚布置在24个模块化I / O组中，这些模块支持广泛的行业I / O标准
在所有I / O bank上具有自动校准支持的动态片上终端(OCT)
具有串行器/解串器(SERDES)和动态相位对准(DPA)电路的高速差分I / O支持，可实现1.6 Gbps性能
支持高速网络和通信总线标准，包括SPI-4.2，SFI-4，SGMII，Utopia IV，10千兆以太网XSBI，Rapid I / O和NPSI
唯一支持256位AES易失性和非易失性安全密钥的高密度，高性能FPGA，以保护设计
强大的片上热插拔和电源排序支持
集成的循环冗余校验(CRC)，用于配置内存错误检测以及严重错误确定，以支持高可用性系统
内置的纠错编码(ECC)电路可检测和纠正M144K TriMatrix存储模块中的数据错误
Nios?II嵌入式处理器支持
支持Altera?MegaCore?功能和Altera Megafunction合作伙伴计划(AMPPSM)的多个知识产权宏功能