时间：2023/8/1 11:09:49
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产品型号 | EP3SL200H780I3N |
描述 | 集成电路FPGA 488 I/O 780HBGA |
分类 | 集成电路(IC)，嵌入式-FPGA(现场可编程门阵列) |
制造商 | 英特尔 |
系列 | Stratix?III L |
打包 | 托盘 |
零件状态 | 活性 |
电压-电源 | 0.86V?1.15V |
工作温度 | -40°C?100°C(TJ) |
包装/箱 | 780-BBGA，FCBGA |
供应商设备包装 | 780-HBGA(33x33) |
基本零件号 | EP3SL200 |
EP3SL200H780I3N
可编程逻辑类型 | 现场可编程门阵列 |
符合欧盟RoHS | 是 |
状态 | 转入 |
最大时钟频率 | 717.0兆赫 |
JESD-30代码 | S-PBGA-B780 |
JESD-609代码 | 1号 |
总RAM位 | 10901504 |
输入数量 | 488.0 |
逻辑单元数 | 200000.0 |
输出数量 | 488.0 |
端子数 | 780 |
电源 | 1.2 / 3.3 |
资格状态 | 不合格 |
座高 | 3.5毫米 |
子类别 | 现场可编程门阵列 |
电源电压标称 | 0.9伏 |
最小供电电压 | 0.86伏 |
最大电源电压 | 0.94伏 |
安装类型 | 表面贴装 |
技术 | CMOS |
终端完成 | 锡/银/铜(Sn / Ag / Cu) |
终端表格 | 球 |
端子间距 | 1.0毫米 |
终端位置 | 底部 |
长度 | 33.0毫米 |
宽度 | 33.0毫米 |
附加功能 | 它也可以在1.05至1.15V的电源范围内工作 |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装代码 | BGA |
包装等效代码 | BGA780,28X28,40 |
包装形状 | 广场 |
包装形式 | 网格阵列 |
制造商包装说明 | 无铅，HBGA-780 |
无铅状态/RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
水分敏感性水平(MSL) | 3(168小时) |
48,000至338,000个等效逻辑元素(LE)(请参阅表1-1)
2,430至20,497 Kbit的增强型TriMatrix存储器，由三种RAM 块大小组成，可实现真正的双端口存储器和FIFO缓冲区
高速DSP模块提供9×9、12×12、18×18 和36×36乘法器(最高550 MHz)，乘法累加功能和有限脉冲响应(FIR)滤波器的专用实现
I / O：GND：PWR比率为8：1：1，并通过片上和封装上的去耦实现了强大的信号完整性
可编程电源技术，可在最大程度降低功耗的同时最大化设备性能
可选的核心电压，在低压设备中可用(L订货代码后缀)，可以选择最低功率或最高性能的设备
每个设备最多16个全局时钟，88个区域时钟和116个外围时钟
每个设备最多12个锁相环(PLL)，支持PLL重配置，时钟切换，可编程带宽，时钟合成和动态相移
所有I / O bank均具有专用DQS逻辑的内存接口支持
支持多达24个模块化I / O bank 上的高速外部存储器接口，包括DDR，DDR2，DDR3 SDRAM，RLDRAM II，QDR II和QDR II + SRAM
多达1,104个用户I / O引脚布置在24个模块化I / O组中，这些模块支持广泛的行业I / O标准
在所有I / O bank 上具有自动校准支持的动态片上终端(OCT)
具有串行器/解串器(SERDES)和动态相位对准(DPA)电路的高速差分I / O支持，可实现1.6 Gbps的性能
支持高速网络和通信总线标准，包括SPI-4.2，SFI-4，SGMII，Utopia IV，10千兆以太网XSBI，Rapid I / O和NPSI
唯一的高密度，高性能FPGA，支持256位AES 易失性和非易失性安全密钥，以保护设计
强大的片上热插拔和电源排序支持
集成的循环冗余校验(CRC)，用于配置存储器错误检测，并具有严重错误确定功能，可支持高可用性系统
内置纠错编码(ECC)电路，用于检测和纠正M144K TriMatrix存储模块中的数据错误
Nios?II嵌入式处理器支持
支持Altera?MegaCore? 功能和Altera Megafunction合作伙伴计划(AMPP SM)的多个知识产权宏功能
EP3SL200H780I3N符号
EP3SL200H780I3N脚印
