时间：2025/5/9 8:49:25
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ENGDPFT6203AS1 是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关应用中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效能和低损耗的应用场景。
该 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，能够在高频条件下保持良好的性能表现，同时提供出色的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道 MOSFET
电压（Vds）：650 V
电流（Id）：30 A
导通电阻（Rds(on)）：8.5 mΩ
栅极电荷（Qg）：75 nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
ENGDPFT6203AS1 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够显著降低传导损耗。
2. 高电压耐受能力，支持高达 650V 的漏源极电压，适用于高压应用环境。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗并提高了效率。
4. 出色的热性能，确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
6. 支持大电流操作，最大电流可达 30A，满足高功率应用需求。
该 MOSFET 器件适用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关或同步整流元件。
2. 电动车辆（EV/HEV）的电机驱动和电池管理系统。
3. 工业自动化设备中的负载开关和电源转换。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
5. LED 照明驱动电路中的功率调节组件。
6. 各类高效率 DC-DC 转换器及 PFC（功率因数校正）电路。
IRFP260N
STP30NF65
FDP55N65E
