时间：2025/7/9 12:35:35
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WCL036N10DN是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率管理、开关电源和负载切换等应用。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高电流处理能力，同时具备出色的热性能和可靠性。WCL036N10DN是一种N沟道增强型MOSFET，其封装形式通常为DFN（薄型小外形无引脚封装），这种封装有助于提高电路板空间利用率并降低寄生电感。
该型号的设计目标是优化效率和减少能量损耗，非常适合需要高效能转换和快速开关的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压VDS：100V
最大栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID：12A
导通电阻RDS(on)：36mΩ
栅极电荷Qg：17nC
开关时间：ton=9ns, toff=15ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：DFN8
WCL036N10DN具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)）可有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度和较低的栅极电荷，使得动态损耗降到最低。
3. 能够在高温环境下稳定工作，支持高达+175℃的工作温度。
4. 具备良好的ESD（静电放电）保护性能，提高了器件的可靠性。
5. 小尺寸封装适合于紧凑型设计需求。
6. 可靠的雪崩击穿能力和强健的短路耐受能力。
7. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
WCL036N10DN广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关功能。
2. DC-DC转换器中作为功率开关或负载开关。
3. 电机驱动器中的H桥控制和PWM信号调节。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
5. 工业设备中的电源管理和保护电路。
6. 消费类电子产品中的高效能功率转换模块。
7. LED照明驱动电路中的调光控制和恒流输出。
WCL036N10DP, WCL036N10DK, IRFZ44N
