EN7570N 时间：2025/7/19 8:13:20 阅读：5

EN7570N 是一颗由 Elantec（现为 Intersil 公司的一部分）制造的高压、高侧 N 沟道 MOSFET 驱动器集成电路。该器件专为驱动高电压、高频率的 N 沟道 MOSFET 设计，适用于诸如 DC-DC 转换器、半桥和全桥拓扑、电机驱动器以及电源管理系统等应用。EN7570N 采用高压工艺制造，能够承受高达 600V 的电压，具备出色的抗噪能力和工作稳定性。

参数

类型：高压高侧 MOSFET 驱动器
　　工作电压范围：10V 至 20V（VDD）
　　高压耐受能力：最高 600V
　　输出电流：典型峰值输出电流为 1.2A（拉电流/灌电流）
　　传播延迟：典型值 150ns
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS 兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：8 引脚 DIP 或 8 引脚 SOIC

特性

EN7570N 的核心特性包括其高压耐受能力和高侧驱动能力，使其非常适合用于高电压电源系统中。该器件采用自举电路设计，能够有效地驱动高侧 N 沟道 MOSFET，避免了使用 P 沟道 MOSFET 所带来的导通电阻大、成本高等问题。此外，EN7570N 提供了低延迟的信号传输能力，确保开关动作的快速和高效，从而提升系统的整体效率。
　　其内部集成的欠压锁定（UVLO）功能能够防止在电源电压不足时发生不正常的 MOSFET 导通，从而保护系统免受损坏。EN7570N 还具备较强的抗干扰能力，能够在高噪声环境中稳定工作。该器件采用标准的 8 引脚封装，便于 PCB 布局和系统集成。
　　由于其工作电压范围宽（10V 至 20V），EN7570N 可适用于多种类型的电源拓扑结构，包括升压、降压、反激和正激变换器。同时，其 600V 的高压耐受能力使其非常适合用于高电压应用，如工业电源、服务器电源和照明系统。

应用

EN7570N 广泛应用于需要高侧驱动 N 沟道 MOSFET 的电力电子系统中。典型应用包括同步整流器、高电压 DC-DC 转换器、全桥和半桥拓扑结构、电机驱动器以及 LED 照明驱动电源等。由于其高压耐受能力和高输出驱动电流，该器件也常用于工业自动化、电信基础设施和服务器电源系统等领域。
　　在电源管理方面，EN7570N 可用于构建高效率的功率因数校正（PFC）电路，提高系统的能效并减少热损耗。此外，该器件在光伏逆变器和不间断电源（UPS）系统中也具有广泛的应用，确保在高电压条件下 MOSFET 的可靠驱动与控制。