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N8065EB 发布时间 时间:2025/12/26 16:50:41 查看 阅读:16

N8065EB是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的高效率、高压热插拔控制器,专为电信、网络设备和工业应用中的带电插拔功能而设计。该器件能够在系统运行期间安全地插入或拔出电路板,同时防止电源总线上的电压跌落和电流浪涌。N8065EB集成了多种保护功能,包括过流保护、过压保护、欠压锁定以及内部定时电路,确保在各种异常条件下仍能保持系统的稳定性和安全性。其主要用途是在冗余电源系统、服务器背板、存储设备以及其他需要高可用性电源管理的场合中提供可靠的热插拔控制解决方案。该芯片采用小型封装,节省PCB空间,并支持宽输入电压范围,适用于+12V或更高电压的电源轨。通过外部N沟道MOSFET实现对电源通路的控制,利用检测电阻监控负载电流,并可通过外部电容设置启动延迟时间,从而实现软启动功能,减少冲击电流。

参数

工作电压范围:9V 至 18V
  关断电流典型值:10μA
  门极驱动电压:10.5V(稳压输出)
  电流检测阈值:48mV(典型值)
  内部定时器充电电流:10μA
  基准电压精度:±2%
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:SOIC-8

特性

N8065EB的核心特性之一是其内置的精确电流检测比较器,能够实时监测通过外部检流电阻的电流,并在超过预设阈值时触发限流模式或关断输出,有效防止因短路或过载导致的系统损坏。该检测阈值固定为48mV,具有±2%的高精度,减少了对外部精密元件的需求,提高了系统可靠性。
  另一个关键特性是其可编程的软启动功能。通过连接一个外部电容到TIMER引脚,用户可以设定MOSFET栅极充电的时间常数,从而控制输出电压的上升速率,避免在上电过程中产生过大的浪涌电流。这一机制对于连接大容量负载电容的应用尤为重要,有助于维持主电源总线的稳定性。
  N8065EB还具备完整的电压监控能力,支持欠压锁定(UVLO)和过压保护(OVP)。当输入电压低于设定阈值时,器件将自动关闭输出;而在检测到输入电压异常升高时,也能迅速响应并切断负载连接,保障后级电路的安全。此外,该芯片提供一个开漏状态指示输出(/FAULT),可用于向系统控制器报告故障状况,便于实现远程监控与诊断。
  该器件采用稳定的栅极驱动架构,可直接驱动大型N沟道MOSFET,驱动电压被内部稳压至约10.5V,防止栅源电压过高导致MOSFET受损。同时,在MOSFET完全导通后,芯片进入低功耗运行状态,静态电流极低,提升了整体能效表现。其SOIC-8封装形式不仅节省空间,而且兼容标准贴片工艺,适合自动化生产环境。

应用

N8065EB广泛应用于需要高可靠性和连续运行能力的通信基础设施设备中,如路由器、交换机和基站背板系统,用于实现线路卡或模块的热插拔功能。在数据中心和企业级服务器中,它被用来管理电源插槽,允许技术人员在不中断系统运行的情况下更换故障组件,极大提升了系统的可维护性与可用性。此外,该芯片也适用于工业自动化控制系统、冗余电源模块以及高端存储阵列等场景,特别是在那些对电源瞬态响应和故障保护要求较高的应用中表现出色。由于其支持宽电压输入和强大的保护机制,N8065EB还可用于航空电子设备、医疗仪器和其他关键任务系统中,作为核心电源管理单元的一部分,确保设备在复杂电磁环境和极端工作条件下依然稳定运行。

替代型号

NIS5020,N8065M

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