时间：2025/8/28 18:56:12
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EN29LV320B-11 是一款由 Eon Silicon Device 公司生产的非易失性闪存（Flash Memory）芯片，容量为 32Mbit，组织为 2M x16。该芯片采用 NOR 架构，适用于需要快速读取和可靠存储的应用场景，例如嵌入式系统、固件存储、工业控制设备等。EN29LV320B-11 支持低电压操作，具备高性能的读取速度和灵活的擦写编程能力。
容量：32Mbit
组织结构：2M x16
电源电压：2.7V - 3.6V
访问时间：55ns、70ns、90ns（根据后缀不同）
封装形式：TSOP、FBGA 等
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 70°C）
接口类型：标准异步SRAM接口
编程电压：内部产生，无需高压电源
封装引脚数：56/64
擦除和编程时间：典型值为1秒（块擦除），编程时间为70μs/字
EN29LV320B-11 采用先进的 CMOS 技术制造，具有高速读取性能，访问时间可低至55ns，适用于对性能要求较高的系统设计。该芯片支持低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，使其在电池供电设备中也能有效延长续航时间。
其 NOR Flash 架构允许系统直接在闪存中执行代码（XIP, eXecute In Place），减少了对外部 RAM 的依赖，提高了系统效率。芯片内部集成了编程和擦除所需的高压电路，无需外部提供高电压，简化了设计复杂度。
EN29LV320B-11 支持扇区擦除和块擦除功能，用户可以灵活地管理存储内容。芯片具备较高的耐用性，每个扇区可擦写次数高达10万次，并可保持数据10年以上不丢失。
EN29LV320B-11 常用于嵌入式系统中作为程序存储器，适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品、汽车电子、医疗仪器等领域。其高速读取和低功耗特性也使其在手持设备、智能卡终端、网络路由器等应用中表现优异。
AM29LV320B-11, MX29LV320B-11, SST39VF3201-11
