时间：2025/9/14 9:44:05
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PSMN2R8-40PS,127 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用高性能Trench工艺制造，具备低导通电阻、高可靠性和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等应用。该器件采用LFPAK56（Power-SO8）封装，提供良好的散热性能和较高的电流承载能力。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：140A（在25°C下）
导通电阻（RDS(on)）：2.8mΩ（典型值，VGS=10V）
最大功耗（PD）：94W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：LFPAK56（也称为Power-SO8）
引脚数量：8引脚
阈值电压（VGS(th)）：1.8V ~ 3.0V（在25°C下）
PSMN2R8-40PS,127 采用先进的Trench MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，有助于降低系统损耗并提高效率。该器件的栅极氧化层经过优化设计，具备良好的抗雪崩能力和高可靠性。其LFPAK56封装结构提供了出色的热管理和机械稳定性，适用于高电流密度和高功率密度的设计需求。
此外，该MOSFET具有良好的抗静电性能和过温保护能力，确保在恶劣工作环境下的稳定运行。其8引脚封装设计优化了栅极驱动路径，减少了寄生电感，有助于提高高频开关性能。PSMN2R8-40PS,127 还符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计。
PSMN2R8-40PS,127 主要应用于高功率密度电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其优异的导通特性和热性能使其成为高效率功率转换和负载开关的理想选择。
PSMN3R2-40YS,127
PSMN1R8-40YLC,127
IPB013N04LG
BSC090N04LS
