类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　系列：EMZ
　　尺寸代码：D6R3A（1608公制）
　　电容：220pF (221)
　　容差：±1% (F)
　　额定电压：50V
　　介质材料：C0G (NP0)
　　温度系数：0 ±30ppm/℃
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ 或 R × C ≥ 1000s
　　损耗因数（DF）：≤0.15%
　　结构：三层端子结构（Triple Terminal Capacitor）

EMZD6R3ADA221MF90G 是TDK EMZ系列中的一款高性能多层陶瓷电容器，采用了三层端子结构，有效降低了高频噪声并提高了滤波性能。该结构可以减少接地电感，从而改善去耦效果，特别适用于需要降低高频噪声的应用场合。此外，该器件采用C0G（NP0）介质材料，具有优异的温度稳定性和频率响应特性，在-55℃至+125℃范围内电容值变化极小，适用于对精度要求极高的模拟电路和射频电路。
　　这款电容器的额定电压为50V，能够满足大多数中高压应用场景的需求。±1%的容差确保了其在高精度滤波、振荡器调谐等应用中的稳定性。由于其低损耗特性（DF ≤0.15%），非常适合用于高Q值滤波器和高频信号处理电路。
　　该器件符合RoHS标准，并具有优异的焊接性能和长期可靠性，适用于自动化贴片工艺。其三层端子结构还能有效抑制高频段的共振效应，提升整体电路的EMI抑制能力。

EMZD6R3ADA221MF90G 多层陶瓷电容器广泛应用于对性能和可靠性要求较高的电子系统中。例如：
　　? 通信设备中的射频滤波和去耦电路
　　? 汽车电子系统，如发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统
　　? 工业控制设备中的高精度模拟前端（AFE）
　　? 医疗仪器中的信号采集和处理电路
　　? 高频振荡器和谐振电路中的稳定电容元件
　　? 高精度测量仪器中的参考电容和滤波电容
　　其三层端子结构使其特别适用于需要降低高频噪声和提高EMI抑制能力的电源去耦应用。

EMZD6R3ADA221MF90G 的替代型号包括 GRM188R71H221KA01D（Murata）、C1608C0G1H221J060BC（TDK）、CL10B221JQ8NNNC（Samsung）等具有相似参数的MLCC。选择替代型号时需注意其容差、电压等级、介质类型及封装尺寸是否匹配，并参考具体应用环境进行验证。