类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　齐纳电压（Vz）：6.8V @ 5mA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：500mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　测试电流（Iz）：5mA
　　动态阻抗（Zzt）：典型值约15Ω
　　漏电流（Ir）：≤1μA @ VR = 4V
　　温度系数：+6.0 mV/°C（典型）
　　反向电压（VR）：4V

EMZC6.8NTL具备出色的电压稳定性和温度特性，能够在宽温度范围内提供可靠的齐纳击穿电压表现。其标称齐纳电压为6.8V，在5mA的测试电流下具有±5%的电压容差，确保了在精密电路中的应用一致性。该器件的动态阻抗较低，典型值约为15Ω，意味着在负载变化时能有效抑制输出电压波动，提高稳压精度。此外，EMZC6.8NTL的最大功耗为500mW，配合SOD-123FL封装良好的热传导设计，可在较高环境温度下持续稳定工作。该齐纳二极管的温度系数为+6.0 mV/°C（典型），表现出正温度特性，这在某些补偿电路中可与其他负温度系数元件配合使用以实现更稳定的系统性能。
　　EMZC6.8NTL采用无铅且符合RoHS标准的材料制造，支持回流焊工艺，适用于自动化表面贴装生产线。其小尺寸封装（SOD-123FL）仅占用极少的PCB空间，非常适合对体积敏感的应用场景，如智能手机、可穿戴设备和小型传感器模块。器件在反向电压低于击穿电压时漏电流极低（≤1μA @ VR=4V），有助于降低待机功耗，提升能效。在瞬态过压情况下，该齐纳二极管能够迅速进入击穿状态，将电压钳制在安全范围内，从而保护后续电路元件不受损害。由于其稳定的电气特性和高可靠性，EMZC6.8NTL也常被用于反馈回路中的电压基准源，尤其在DC-DC转换器或线性稳压器中作为简单而有效的参考方案。

EMZC6.8NTL广泛应用于各类需要电压参考或过压保护的电子系统中。常见用途包括电源管理电路中的电压钳位与稳压，例如在微控制器、FPGA或ASIC的供电路径中防止电压尖峰造成的损坏。它也可作为反馈网络的一部分，用于调节开关电源的输出电压，确保输出稳定在设定值附近。在模拟信号处理电路中，该齐纳二极管可用于建立稳定的偏置电压或限制信号幅度，避免输入级因过压而失效。此外，EMZC6.8NTL还适用于电池供电设备中的低功耗电压基准源，因其低漏电流和良好稳定性，有助于延长电池寿命。在工业控制系统中，该器件可用于接口电路的ESD保护和瞬态抑制，提升系统抗干扰能力。通信设备中也常利用其稳定的击穿特性进行线路电平匹配和噪声抑制。得益于其紧凑的SOD-123FL封装，该器件特别适合高密度印刷电路板设计，广泛见于智能手机、平板电脑、物联网终端、智能家居设备及便携式医疗仪器等现代电子产品中。

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　　 "MZ7C6.8T1G",
　　 "BZT52C6.8S-7-F",
　　 "PMEZ6.8",
　　 "SZMZ4Q6.8",
　　 "CZRU6.8"
　　]