EMZC6.8N TL 时间：2025/11/8 9:57:54 阅读：9

EMZC6.8N TL是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的表面贴装齐纳二极管，额定齐纳电压为6.8V，适用于需要稳定参考电压或过压保护的电子电路。该器件采用小型SOD-123FL封装，具有紧凑的尺寸和优良的散热性能，适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。EMZC6.8N TL属于EMZ系列齐纳二极管，该系列产品以高精度、低动态阻抗和良好的温度稳定性著称，广泛应用于消费电子、工业控制、电源管理及通信设备中。
　　作为一款稳压二极管，EMZC6.8N TL通过反向击穿特性在设定电压下保持稳定的电压输出，即使输入电压或负载发生变化也能维持电压恒定。其典型测试条件下的齐纳电流为5mA，在此条件下可保证标称电压的准确性。此外，该器件具备较低的漏电流和快速响应能力，能有效抑制瞬态电压波动，提升系统可靠性。

参数

类型：齐纳二极管
　　极性：单向
　　封装：SOD-123FL
　　齐纳电压（Vz）：6.8 V
　　测试电流（Iz）：5 mA
　　最大耗散功率（Pd）：500 mW
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：20 Ω
　　工作温度范围：-55 至 150 °C
　　存储温度范围：-55 至 150 °C
　　反向漏电流（Ir）：5 μA @ 12V

特性

EMZC6.8N TL的核心特性之一是其高电压精度与良好的温度稳定性。该器件在标准测试条件下提供6.8V的标称齐纳电压，容差通常控制在±5%以内，确保在多种应用场景中实现可靠的电压箝位和参考功能。其低动态阻抗（最大20Ω）意味着在负载变化时电压波动极小，能够为敏感电路提供稳定的基准电压。这一特性使其特别适用于模拟信号调理、ADC参考源以及微控制器供电系统的电压监控。
　　该齐纳二极管采用先进的芯片制造工艺，优化了PN结结构，从而降低了反向漏电流至仅5μA（在12V偏压下），显著减少了静态功耗并提高了高温环境下的稳定性。同时，器件具备高达500mW的最大功耗能力，配合SOD-123FL封装优异的热传导性能，可在较宽的工作电流范围内安全运行。小型化封装不仅节省PCB空间，还支持回流焊工艺，满足现代电子产品对小型化和自动化生产的需求。
　　EMZC6.8N TL还具备出色的长期稳定性与可靠性，经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、温度循环和湿度敏感度等级评估，符合工业级应用标准。其宽达-55°C至+150°C的工作温度范围使其能够在极端环境下稳定工作，适用于汽车电子、户外设备等严苛应用场合。此外，该器件无铅且符合RoHS环保要求，体现了绿色制造理念。

应用

EMZC6.8N TL广泛应用于各类需要电压参考、稳压或过压保护的电子系统中。常见用途包括电源电路中的电压箝位，用于防止瞬态高压损坏后续电路元件；也可作为低压直流电源的简单稳压方案，尤其适用于对成本敏感但需基本稳压功能的设计场景。在信号处理电路中，它常被用作电平移位器或钳位二极管，限制信号幅度以保护ADC输入端口。
　　在工业控制系统中，该器件可用于传感器接口电路，提供稳定的参考电压以提高测量精度。在通信设备中，EMZC6.8N TL可用于线路保护，抑制静电放电（ESD）或感应浪涌带来的电压尖峰，增强系统的电磁兼容性（EMC）。此外，由于其良好的温度特性和长期稳定性，也适合用于汽车电子模块，如车身控制单元、车载信息娱乐系统和电池管理系统中的辅助稳压电路。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家电中，该器件因其小尺寸和高性能被广泛用于内部电源轨的微调与保护。同时，它还可用于LED驱动电路中，作为反馈环路的一部分来稳定输出电压。总之，凭借其高可靠性、小封装和优异电气性能，EMZC6.8N TL是一款多功能、高性价比的齐纳二极管解决方案。