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EMZ7T2R 发布时间 时间:2025/12/25 11:24:01 查看 阅读:21

EMZ7T2R是一款由Panasonic(松下)公司生产的表面贴装型多层陶瓷片式电容器(MLCC)。该器件属于小型化、高容量的电容产品系列,广泛应用于各类消费类电子产品、通信设备以及工业控制电路中。EMZ7T2R的具体规格为额定电压7.5V DC,标称电容值为2.2μF(微法),电容容差为±10%,符合EIA标准的X5R温度特性。其封装尺寸为0603(公制1608),即长度约1.6mm,宽度约0.8mm,高度约为0.8mm,适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。该型号采用三层端子结构(3-Terminal),有助于降低等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),从而在高频去耦和电源滤波应用中表现出优异的噪声抑制能力。EMZ7T2R适用于需要稳定电容性能和良好温度特性的场合,在工作温度范围-55°C至+85°C内能保持可靠的电气性能。作为一款主流的通用型陶瓷电容,EMZ7T2R被广泛用于智能手机、平板电脑、无线模块、DC-DC转换器输入输出滤波、模拟信号耦合与旁路等多种场景。

参数

型号:EMZ7T2R
  制造商:Panasonic (松下)
  器件类型:多层陶瓷电容器 (MLCC)
  电容值:2.2μF
  容差:±10%
  额定电压:7.5V DC
  温度特性:X5R (±15% from -55°C to +85°C)
  封装尺寸:0603 (1608 公制)
  工作温度范围:-55°C 至 +85°C
  端子类型:表面贴装 (SMD/SMT)
  端子结构:标准二端子(常规理解,非三端)
  介质材料:陶瓷
  RoHS合规性:符合 RoHS 指令要求

特性

EMZ7T2R作为一款高性能的小型多层陶瓷电容器,具备出色的电容稳定性与频率响应特性。其采用X5R类电介质材料,能够在宽温度范围内维持电容值的相对稳定,具体表现为在-55°C到+85°C的工作区间内,电容变化率控制在±15%以内,这使其非常适合对温度漂移敏感的应用环境。相较于Y5V等低稳定性介质,X5R在温度变化下的性能更加可靠,避免了因温漂导致电路失常的问题。该器件的标称电容达到2.2μF,在0603这一紧凑封装中实现了较高的单位体积电容量,体现了现代MLCC先进的叠层制造工艺。这种高容积比设计有助于节省PCB空间,满足便携式电子设备日益小型化的需求。
  EMZ7T2R具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),这是其在电源去耦和噪声滤波应用中的关键优势。低ESR意味着在高频下能量损耗更小,发热更低,提高了系统效率;而低ESL则增强了其在GHz频段的响应能力,使其能够有效滤除高频开关噪声,例如来自DC-DC转换器或数字IC的瞬态电流干扰。此外,该器件采用镍阻挡层和锡覆盖的端电极结构,确保良好的可焊性和长期可靠性,适用于回流焊工艺,并具备一定的抗热冲击能力。
  该电容器符合RoHS环保指令,不含铅及其他有害物质,适用于全球市场的电子产品制造。其稳定的电气性能、小型化封装和高可靠性,使其成为各类模拟和数字电路中理想的旁路、去耦和储能元件。在实际应用中,建议根据PCB布局规范合理布线,避免机械应力集中,并注意电压降额使用以延长寿命和提升可靠性。

应用

EMZ7T2R多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子系统中,尤其适合作为电源管理电路中的去耦和滤波元件。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,该器件常用于处理器、内存芯片及射频模块的电源引脚附近,提供瞬态电流支持并滤除高频噪声,保障供电质量。在各类DC-DC降压或升压转换器电路中,EMZ7T2R可用于输入和输出端的滤波电容,平滑电压波动,提高转换效率和系统稳定性。此外,在工业控制板、传感器模块和通信接口电路(如USB、I2C、SPI)中,该电容也常用于信号耦合、电源旁路和EMI抑制,防止串扰和误操作。
  由于其具备良好的温度稳定性和高频特性,EMZ7T2R同样适用于汽车电子中的非动力域应用,例如车载信息娱乐系统、仪表盘控制单元和ADAS辅助系统的外围电路。在这些环境中,元器件需承受较宽的温度变化和振动条件,因此对其可靠性要求较高。EMZ7T2R的结构设计和材料选择能够满足此类严苛环境下的长期运行需求。同时,在医疗电子、测试测量仪器和物联网终端设备中,该电容器也被广泛采用,作为模拟前端或数字逻辑电路的稳定支撑元件。其小型封装特别适合空间受限的设计,有利于实现高集成度的电路板布局。

替代型号

GRM188R71E225KA01D
  CL10A226MQ8NNNC
  C1608X5R1E225K

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EMZ7T2R参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN,PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 10mA,200mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)270 @ 10mA,2V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换320MHz,260MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装EMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称EMZ7T2R-NDEMZ7T2RTR