时间：2025/9/10 17:45:39
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EMVH630GTR721MMN0S 是东芝（Toshiba）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，适用于高频率、高效率的功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具备低导通电阻和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理以及汽车电子等高要求的电路设计中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大连续漏极电流(ID)：30A
导通电阻(RDS(on))：典型值为5.2mΩ @ VGS=10V
栅极电荷(Qg)：约32nC
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：表面贴装，例如SOP或DFN封装
功率耗散(PD)：100W
EMVH630GTR721MMN0S是一款高性能功率MOSFET，采用了先进的沟槽式结构和高密度单元设计，有效降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和较高的雪崩能量承受能力，能够在严苛的工作环境下稳定运行。其封装设计优化了散热性能，支持表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性和可靠性。
该器件还具有良好的抗干扰能力和高dv/dt耐受性，适合在高噪声环境中使用。由于其优异的电气和机械性能，EMVH630GTR721MMN0S广泛应用于电源适配器、服务器电源、工业控制、电动汽车（EV）充电系统、电池管理系统（BMS）等对可靠性要求较高的场合。
EMVH630GTR721MMN0S 主要应用于以下领域：
? 高效DC-DC转换器，如用于服务器、路由器和通信设备的电源模块
? 电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路
? 电机驱动和工业自动化设备中的功率开关
? 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的车载充电器（OBC）和逆变器系统
? 电源管理单元（PMU）及负载开关电路
? 服务器和存储设备中的热插拔电源控制
TKA70N60W,IW630GTR7PBF,TJA70N60WR
