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EMVE6R3ARA332MKG5S 发布时间 时间:2025/9/10 5:14:44 查看 阅读:14

EMVE6R3ARA332MKG5S 是东芝(Toshiba)生产的一款功率MOSFET模块,属于MVE6系列的一部分。该器件主要用于高功率应用,如工业电源、电机驱动、逆变器和电源管理系统等。这款MOSFET模块采用了先进的封装技术,具有优异的热性能和电气性能,能够承受较高的工作电压和电流。其主要特点是低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和良好的可靠性。该模块通常用于需要高效率和高性能的电力电子设备中。

参数

类型:功率MOSFET模块
  漏源电压(Vds):600V
  漏极电流(Id):300A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为6.5mΩ
  封装类型:模块封装
  工作温度范围:-55°C至150°C
  栅极电压(Vgs):±20V
  最大耗散功率(Pd):450W
  短路耐受能力:有
  安装类型:螺钉安装
  封装尺寸:约62mm x 46mm x 5.5mm

特性

EMVE6R3ARA332MKG5S 具备多项优异特性,适用于高功率和高可靠性应用。首先,其高耐压能力(600V)使得该模块可以在高压环境中稳定运行,适用于工业电源、逆变器和UPS系统等。其次,该模块的导通电阻非常低,典型值为6.5mΩ,这意味着在导通状态下,MOSFET的功耗较低,从而提高了系统的整体效率,并减少了散热需求。此外,该模块具有较高的漏极电流能力(300A),能够承受较大的负载电流,适用于大功率电机驱动和电源转换系统。
  该模块还具备良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受过流和短路情况而不损坏,从而提高了系统的稳定性和安全性。其模块封装设计不仅提供了良好的机械稳定性,还优化了热管理性能,确保在高功率运行时仍能保持较低的工作温度。EMVE6R3ARA332MKG5S 的工作温度范围广泛(-55°C至150°C),适用于各种严苛环境条件下的应用。
  此外,该模块的栅极电压范围为±20V,提供了较大的驱动灵活性,并且能够与多种驱动电路兼容。封装尺寸为62mm x 46mm x 5.5mm,适合集成在紧凑型电力电子设备中。模块采用螺钉安装方式,便于安装和维护,同时也增强了其在高振动环境中的稳定性。

应用

EMVE6R3ARA332MKG5S 适用于多种高功率和高效率的电力电子系统。在工业自动化领域,它常用于电机驱动器、伺服控制系统和变频器中,以实现对电机的高效控制。在可再生能源系统中,该模块广泛应用于太阳能逆变器和风力发电变流器中,用于将直流电转换为交流电并馈入电网。此外,它也被用于不间断电源(UPS)系统中,确保在电网故障时能够快速切换至备用电源并维持稳定的电力输出。
  在电动汽车和充电桩系统中,EMVE6R3ARA332MKG5S 可用于车载充电器、DC-DC转换器和电池管理系统,实现高效能量转换和稳定运行。由于其具备良好的短路保护能力和高电流承载能力,该模块也适用于电焊机、感应加热设备和高功率开关电源等应用场合。在智能电网和储能系统中,该模块可用于电力调节和能量管理,确保系统运行的高效性和可靠性。

替代型号

IXFN300N60P3, SKM300GB063D, STY60N6F70Z, IRGP50B60PD1STRLPBF

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EMVE6R3ARA332MKG5S参数

  • 标准包装150
  • 类别电容器
  • 家庭
  • 系列Alchip™ MVE
  • 电容3300µF
  • 额定电压6.3V
  • 容差±20%
  • 寿命@温度105°C 时为 2000 小时
  • 工作温度-40°C ~ 105°C
  • 特点通用
  • 纹波电流850mA
  • ESR(等效串联电阻)-
  • 阻抗-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳径向,Can - SMD
  • 尺寸/尺寸0.492" 直径(12.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)0.630"(16.00mm)
  • 引线间隔-
  • 表面贴装占地面积0.512" L x 0.512" W(13.00mm x 13.00mm)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称565-2179-2EMVE6R3ADA332MKG5S