时间：2025/9/11 0:59:12
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EMVE6R3ADA330ME55G 是东芝（Toshiba）公司推出的一款功率MOSFET晶体管，主要用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于高频开关环境。这款MOSFET采用5引脚DFN封装，具有良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大3.3mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：120W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：5引脚DFN（5.5mm x 6.5mm）
EMVE6R3ADA330ME55G具备多项优异特性，首先其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽栅极结构，使得开关性能更优，适用于高频应用。此外，5引脚DFN封装设计不仅提供了优良的热传导性能，还通过电源引脚和信号引脚的分离设计减少了寄生电感，提升了器件在高电流下的稳定性。
在可靠性方面，EMVE6R3ADA330ME55G具有高雪崩耐量，可承受突发的高电压冲击，适用于工业级工作温度范围（-55℃至150℃），确保其在恶劣环境中稳定运行。该器件还具备良好的栅极氧化层稳定性，防止因过压或静电导致的损坏，提高了长期使用的可靠性。
EMVE6R3ADA330ME55G的5引脚DFN封装也支持表面贴装工艺，便于自动化生产，同时具备优异的热管理能力，适合用于紧凑型高功率密度设计。这些特性使其成为服务器电源、通信设备、电动工具和汽车电子等高性能应用中的理想选择。
EMVE6R3ADA330ME55G广泛应用于各种高功率、高效率的电源管理系统中。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、服务器和电信设备的电源模块，以及电动汽车和工业控制系统的功率电路。由于其低导通电阻和高频开关能力，该MOSFET也常用于高效率的电源适配器和电源管理单元（PMU）。此外，在需要高可靠性和高热稳定性的工业自动化设备中，EMVE6R3ADA330ME55G也是优选的功率开关器件。
SiR142DP-T1-GE3, IPPB90N06S4-03, SQJQ160EP
