类型：MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：350V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.0mΩ
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　安装类型：通孔安装
　　技术：硅基功率MOSFET

EMLD350ADA1R0MD73G 模块具备多个高性能MOSFET晶体管的集成，能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提高系统的整体效率。该模块的导通电阻仅为1.0mΩ，意味着在高电流工作条件下仍能保持较低的功耗。此外，其最大漏源电压为350V，适用于中高压电力电子应用。模块采用双列直插式封装（DIP），便于安装和散热管理，适用于高功率密度设计。该器件的工作温度范围宽，从-55°C到150°C，使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。EMLD350ADA1R0MD73G 的设计还考虑了电磁干扰（EMI）控制，确保在高频开关应用中保持良好的电磁兼容性。
　　该模块还具备优异的热性能，能够有效传导和散发工作过程中产生的热量，从而延长器件寿命并提高可靠性。其封装材料和内部结构优化了热阻，确保在高负载条件下仍能维持较低的温度上升。此外，模块内部采用了先进的芯片并联技术，确保各个MOSFET单元之间的电流均衡分布，减少热点效应，提高整体稳定性。

EMLD350ADA1R0MD73G 适用于多种高功率应用，包括但不限于工业电源、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊设备以及新能源汽车的电力电子系统。在工业自动化领域，该模块可用于高性能变频器和伺服驱动器，提供高效、可靠的功率控制解决方案。在可再生能源领域，该模块可以用于太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块，提高能源转换效率。此外，该模块也可用于电动车充电设备、车载DC-DC转换器等应用场景。

TK60A35DA, TK150A35D, SiC模块如：Cree的C2M0080120D或ROHM的SCT3040KL