时间：2025/6/25 21:00:35
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EMK325BJ226MD-T 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率控制应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率电源转换和电机驱动等场景。其封装形式为 TO-263-3L（DPAK），能够提供良好的散热性能。
该型号是 N 沟道增强型 MOSFET，通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路以及各种工业和消费类电子设备中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：48A
导通电阻Rds(on)：1.9mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗Ptot：125W
结温范围Tj：-55℃至+175℃
封装：TO-263-3L（DPAK）
EMK325BJ226MD-T 具有出色的电气性能和可靠性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频工作环境。
3. 高雪崩耐量能力，确保在异常条件下仍能稳定运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代化生产要求。
5. 提供卓越的热性能，适用于高功率密度设计。
6. 耐热增强型封装设计，提升散热效果，延长使用寿命。
7. 稳定的工作特性和宽泛的温度适应范围，使其适用于多种严苛环境下的应用需求。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率级控制。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
5. 汽车电子中的电源管理与保护模块。
6. 高效 DC-DC 转换器及 LED 驱动器设计。
7. 各种需要低损耗开关操作的场景，如通信基站电源和 UPS 系统。
IRFZ44N, SI4866DP, FDP18N06
