时间：2025/4/30 9:22:42
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EMK325ABJ107MM-P 是一款基于硅技术制造的高性能功率MOSFET器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效提升系统的效率和可靠性。
它采用先进的沟槽式工艺设计，优化了电荷平衡和热管理特性，从而在高频工作条件下依然保持较低的功耗。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：0.1Ω
总栅极电荷(Qg)：50nC
输入电容(Ciss)：2000pF
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷Qg，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的耐受能力。
4. 采用TO-247封装，提供良好的散热性能和电气连接可靠性。
5. 具备优越的温度稳定性和长时间工作的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 用于工业控制和家用电器中的电机驱动电路。
3. DC-DC转换器中的同步整流和功率开关。
4. UPS不间断电源中的逆变电路元件。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备中的功率开关组件。
EMK325ABJ107MM-N, IRFP250N, STP10NK65Z
