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GT17HG-4DP-2DSA(D)(55) 发布时间 时间:2025/9/4 5:23:24 查看 阅读:6

GT17HG-4DP-2DSA(D)(55) 是一种由东芝(Toshiba)生产的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛应用于高功率电子设备中,如工业电机驱动、电力转换系统和可再生能源系统。该模块具有高性能的开关特性,能够承受高电压和大电流,适用于要求高可靠性和效率的功率电子应用。IGBT模块结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降特性,使其在高功率应用中具有优越的性能。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1700V
  额定集电极电流(IC):75A(在Tc=80℃)
  短路耐受能力:典型值为10μs(在特定条件下)
  工作温度范围:-40℃至+150℃
  封装类型:双侧散热(Double Sided Cooling, DSC)
  配置:Half Bridge(半桥)拓扑结构
  芯片数量:4个IGBT芯片 + 2个续流二极管芯片
  安装方式:螺钉安装
  热阻(Rth):根据散热条件不同而变化

特性

GT17HG-4DP-2DSA(D)(55) IGBT模块具有多项先进的性能特点。首先,它采用了东芝先进的IGBT芯片技术,使得导通压降和开关损耗达到良好平衡,从而提高了整体效率并降低了热损耗。其次,该模块支持双侧散热设计,提高了散热效率,适用于高功率密度应用。此外,模块内置了多个IGBT芯片和续流二极管芯片,能够在半桥拓扑结构下工作,适用于逆变器和整流器等电路设计。模块的封装设计增强了机械强度和热稳定性,确保在高温环境下仍能稳定运行。该模块还具备良好的短路耐受能力,可在极端工况下保护电路安全。此外,其宽工作温度范围使其适用于多种恶劣环境,包括工业和户外应用。最后,模块的标准化封装和高集成度设计有助于简化系统布局和提高装配效率。
  GT17HG-4DP-2DSA(D)(55) 还具备高可靠性和长寿命的特点,适用于需要长时间稳定运行的工业设备。其内部芯片布局和连接方式经过优化,以减少电磁干扰(EMI)和寄生电感,从而提高系统的稳定性和效率。模块的封装材料符合RoHS标准,支持环保应用。此外,该模块的设计兼容多种冷却方式,包括风冷和水冷,能够根据不同的应用需求进行灵活配置。这些特性使得该模块成为高性能电力电子系统中的关键组件。

应用

GT17HG-4DP-2DSA(D)(55) 主要应用于高功率工业设备和电力电子系统。例如,它可以用于工业电机驱动系统,如变频器和伺服驱动器,提供高效的功率转换和控制。此外,该模块也适用于新能源领域,如太阳能逆变器和风力发电变流器,用于将直流电转换为交流电并馈入电网。在电动汽车和充电基础设施中,该模块可用于车载充电器和电机控制器,以实现高效的能量管理和动力输出。同时,它也适用于UPS(不间断电源)、电焊机和感应加热设备等高功率应用。在这些应用中,GT17HG-4DP-2DSA(D)(55) 的高可靠性和优异的热性能能够确保系统稳定运行,并提升整体能效。

替代型号

SKM75GB176D

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GT17HG-4DP-2DSA(D)(55)参数

  • 现有数量520现货
  • 价格1 : ¥37.34000托盘
  • 系列GT17
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 连接器样式插头
  • 连接器类型汽车级 LAN 连接器
  • 针位数4
  • 安装类型通孔
  • 端接焊接
  • 特性板导轨,屏蔽
  • 触头表面处理
  • 触头表面处理厚度-