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EMK212B7475MG-T 发布时间 时间:2025/7/12 19:23:05 查看 阅读:10

EMK212B7475MG-T是一款高性能的工业级MOSFET功率晶体管,采用先进的制造工艺设计,广泛应用于电源管理、电机具有较低的导通电阻和快速的开关特性,可显著提高系统的效率和可靠性。
  其封装形式为TO-263(DPAK),具备出色的散热性能,能够满足高功率应用场景的需求。

参数

型号:EMK212B7475MG-T
  类型:N沟道增强型MOSFET
  Vds(漏源极电压):75V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
  Id(持续漏极电流):70A
  Qg(栅极电荷):85nC
  Bvdss(击穿电压):75V
  EAS(雪崩能量):2.1J
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装:TO-263(DPAK)

特性

EMK212B7475MG-T的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力,这使得它非常适合用于需要高效能转换的应用场景。此外,该器件还具备以下优势:
  1. 极低的导通电阻(4.5mΩ),可降低传导损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关速度,减少了开关损耗。
  3. 高雪崩能量耐受能力(2.1J),增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),适用于各种严苛环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

该器件常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换和控制。
  2. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 通信设备中的DC-DC转换。
  5. 太阳能逆变器和电池管理系统(BMS)。
  6. 各类汽车电子应用,如LED驱动和电动助力转向系统(EPS)。

替代型号

IRF7739PbF, FDP5800, STP75NF06L

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EMK212B7475MG-T参数

  • 制造商Taiyo Yuden
  • 电容4.7 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值16 Volts
  • 温度系数/代码X7R
  • 外壳代码 - in0805
  • 外壳代码 - mm2012
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品Low ESR MLCCs
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF4700 nF
  • 尺寸1.25 mm W x 2 mm L x 1.25 mm H
  • 封装 / 箱体0805 (2012 metric)
  • 系列M
  • 端接类型SMD/SMT