EMK212B7475MG-T是一款高性能的工业级MOSFET功率晶体管,采用先进的制造工艺设计,广泛应用于电源管理、电机具有较低的导通电阻和快速的开关特性,可显著提高系统的效率和可靠性。
其封装形式为TO-263(DPAK),具备出色的散热性能,能够满足高功率应用场景的需求。
型号:EMK212B7475MG-T
类型:N沟道增强型MOSFET
Vds(漏源极电压):75V
Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
Id(持续漏极电流):70A
Qg(栅极电荷):85nC
Bvdss(击穿电压):75V
EAS(雪崩能量):2.1J
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装:TO-263(DPAK)
EMK212B7475MG-T的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力,这使得它非常适合用于需要高效能转换的应用场景。此外,该器件还具备以下优势:
1. 极低的导通电阻(4.5mΩ),可降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度,减少了开关损耗。
3. 高雪崩能量耐受能力(2.1J),增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),适用于各种严苛环境。
5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
该器件常用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换和控制。
2. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 通信设备中的DC-DC转换。
5. 太阳能逆变器和电池管理系统(BMS)。
6. 各类汽车电子应用,如LED驱动和电动助力转向系统(EPS)。
IRF7739PbF, FDP5800, STP75NF06L