EMH4 时间：2025/12/25 11:17:32 阅读：32

EMH4是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高压MOSFET晶体管，常用于开关电源、电机驱动以及功率转换等应用中。该器件属于超级结MOSFET系列，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能特点。EMH4的设计旨在满足现代电子设备对高效能与小型化的需求，广泛应用于工业控制、消费类电子产品及照明系统等领域。其封装形式通常为TO-220或类似的通孔封装，便于散热并适合多种电路板布局需求。作为一款N沟道增强型场效应晶体管，EMH4能够在较高的电压下稳定工作，同时保持较低的开关损耗，从而提升整体系统的能效表现。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力和过温保护特性，增强了在严苛环境下的可靠性。由于其出色的电气性能和坚固的结构设计，EMH4成为许多中高功率应用场景中的理想选择之一。

参数

型号：EMH4
　　类型：N沟道，增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：4 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：16 A
　　功耗（Ptot）：50 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.85 Ω @ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 750 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：典型值 190 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 45 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

EMH4 MOSFET的核心优势在于其采用先进的超级结（Super Junction）技术，这种结构显著降低了器件的导通电阻（Rds(on)），同时维持了高击穿电压能力。相比传统平面型MOSFET，超级结设计通过交替排列P型和N型柱状区域，实现了更均匀的电场分布，从而提升了耐压性能并减少导通损耗。这使得EMH4在高频开关应用中表现出色，尤其适用于需要高效率和低热耗散的电源拓扑结构，如反激式转换器、有源钳位正激变换器和LLC谐振转换器等。
　　该器件具备良好的动态性能，输入电容和输出电容较小，有助于降低驱动损耗并提高开关速度。其栅极电荷（Qg）较低，意味着在相同的工作频率下所需的驱动功率更少，进一步提升了系统效率。此外，EMH4具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下吸收一定的能量而不损坏，增强了电路的鲁棒性。这一特性对于工业环境中可能出现的电磁干扰或线路浪涌尤为重要。
　　EMH4的热稳定性也十分优异，其最大结温可达150°C，并支持长期在高温环境下运行。结合TO-220FP封装提供的良好散热路径，该器件可在自然对流或加装散热片条件下可靠工作。同时，其宽泛的栅源电压范围（±30V）使其兼容多种常见的驱动电路，包括光耦隔离驱动和专用PWM控制器输出级。总体而言，EMH4凭借其高性能参数和可靠的物理设计，成为中等功率电力电子系统中极具竞争力的选择。

应用

EMH4广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合作为主开关管用于AC-DC和DC-DC功率转换电路。常见应用包括离线式反激转换器（Flyback Converter），用于电视机、显示器、充电器和适配器等消费类电子产品中实现高效的电压转换。此外，在LED照明驱动电源中，EMH4可用于构建恒流源电路，提供稳定的输出电流以确保光源亮度一致性和长寿命。
　　在工业领域，EMH4被用于电机驱动控制模块，特别是在小功率直流无刷电机（BLDC）和步进电机的驱动电路中作为功率开关元件。其快速开关特性和低导通损耗有助于提升驱动效率并减少发热。同时，该器件也可用于UPS（不间断电源）、逆变器和太阳能微逆变器等新能源相关设备中，承担能量转换与调控的关键角色。
　　由于其具备较高的耐压能力和良好的热管理特性，EMH4同样适用于工业自动化控制系统中的继电器替代方案——固态继电器（SSR）设计，用以实现无触点开关功能，从而延长使用寿命并提高响应速度。此外，在电信设备和服务器电源模块中，EMH4可用于辅助电源或待机电源回路，保障系统在低负载状态下的高效运行。