时间：2025/12/25 12:03:14
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EMH25是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的高压栅极驱动器IC，专为驱动高压、高速的N沟道功率MOSFET和IGBT而设计。该器件采用高边和低边配置，能够有效控制半桥拓扑结构中的开关元件，广泛应用于电机驱动、电源转换、逆变器系统等领域。EMH25集成了自举二极管，降低了外部元件数量，提高了系统的可靠性和集成度。其设计支持高达600V的电压浮动能力，使其适用于多种中压功率应用场合。该芯片采用紧凑型封装，具备良好的热性能和电气隔离特性，适合在工业级温度范围内稳定运行。
类型：高压栅极驱动器
通道类型：高边和低边双通道
最大击穿电压（BST）：600 V
输出电流能力：拉电流/灌电流典型值250mA/500mA
工作电源电压范围：10 V 至 20 V
输入逻辑兼容性：TTL/CMOS 兼容
传播延迟时间：典型值约200ns
死区时间：内置防直通功能，确保上下管不同时导通
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：SO-8 等小型化表面贴装封装
集成自举二极管：是
EMH25的核心特性之一是其高边与低边栅极驱动能力，能够在半桥电路中高效地控制两个N沟道功率晶体管。通过集成自举二极管，该芯片显著减少了外部所需元件的数量，简化了PCB布局并提升了系统可靠性。传统的栅极驱动方案需要外接快恢复二极管用于自举供电，而EMH25内部集成了高质量的自举二极管，避免了因外部二极管失效导致的系统故障风险，同时也节省了板空间和成本。
该器件具有优异的抗dv/dt噪声干扰能力，即使在高频开关环境下也能保持稳定的驱动性能。其输入端采用施密特触发器设计，增强了对输入信号的抗噪能力，防止由于噪声引起的误触发。此外，EMH25具备独立的高低边输入控制引脚，允许用户灵活配置驱动时序，并可通过外部逻辑电路实现复杂的PWM控制策略。
EMH25还内置了欠压锁定（UVLO）保护机制，当VDD或VBUS供电电压低于安全阈值时，会自动关闭输出，防止在电源不稳定的情况下误操作功率器件，从而保护整个功率链路的安全。此功能对于提高系统在启动、掉电或异常工况下的鲁棒性至关重要。同时，芯片内部设有交叉导通防护逻辑，有效防止上下桥臂直通短路，进一步提升系统安全性。
由于其高达600V的浮动电压能力，EMH25可广泛用于AC-DC和DC-DC变换器、无刷直流电机（BLDC）控制器、太阳能逆变器以及感应加热设备中。其小型化的SO-8封装不仅节省空间，而且便于自动化生产装配，适合大批量制造场景。整体来看，EMH25是一款高性能、高集成度且高度可靠的栅极驱动解决方案，特别适用于需要紧凑设计和高效率驱动的应用领域。
EMH25主要用于各种需要驱动高压N沟道MOSFET或IGBT的电力电子系统中。典型应用场景包括单相逆变器、开关电源（SMPS）、电机驱动器（如风扇、压缩机、电动工具）、LED驱动电源以及家用电器中的功率控制模块。其高集成度和内置自举二极管的特性使其成为替代传统分立式驱动方案的理想选择，尤其适用于追求小型化和高可靠性的产品设计。
IRS2104S, IR2110, UCC27324
