EMF50N03J是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
该MOSFET的最大耐压为50V,适合在中低压应用场景中使用。其封装形式通常为SOT-23或DFN等小型化封装,有助于节省PCB空间,非常适合便携式设备和其他对尺寸敏感的应用。
最大漏源电压(Vds):50V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):3.9A
导通电阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):7nC(典型值)
开关速度:快速开关
工作结温范围(Tj):-55°C至+150°C
封装形式:SOT-23
1. 超低导通电阻,可显著减少导通损耗,提升整体效率。
2. 快速开关特性,适合高频应用场合。
3. 小型化封装设计,有助于节省电路板空间。
4. 高可靠性和稳定性,能够在较宽的温度范围内正常工作。
5. 内置ESD保护功能,提高了器件的抗静电能力,增强了系统的鲁棒性。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和开关控制。
2. DC-DC转换器中的功率级开关元件。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 电机驱动电路中的H桥和半桥配置。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 消费类电子产品,如智能手机、平板电脑及便携式充电设备。
EMF50N03L, Si2302DS, FDMC8803