EMF316AB7475MLHT是一款高性能的微波功率放大器芯片,专为通信和雷达系统设计。该器件采用先进的砷化镓(GaAs)或氮化镓(GaN)工艺制造,能够在高频段提供高增益、高效率和大输出功率的性能。其封装形式通常为气密封装,以确保在恶劣环境下的可靠性。
该芯片的工作频率范围一般覆盖L波段至Ku波段,适用于多种无线通信场景,包括卫星通信、点对点微波传输以及军用雷达等。
型号:EMF316AB7475MLHT
工作频率范围:8-12GHz
饱和输出功率:40dBm
小信号增益:20dB
电源电压:12V
静态电流:500mA
封装形式:气密金属罐封装
工作温度范围:-55℃至+125℃
EMF316AB7475MLHT具有以下主要特性:
1. 高频段支持:可覆盖8GHz到12GHz的频率范围,满足现代微波通信系统的需求。
2. 高输出功率:饱和输出功率可达40dBm,在同类产品中处于领先地位。
3. 高效率:采用先进工艺设计,保证了较高的功率附加效率(PAE)。
4. 宽带操作:宽频带设计使其能够适应多种应用场景,无需频繁更换器件。
5. 高可靠性:气密封装形式使其具备优异的抗潮湿和抗腐蚀能力,适合军事和工业级应用。
6. 小型化设计:尽管性能卓越,但体积小巧,便于集成到复杂的射频系统中。
EMF316AB7475MLHT广泛应用于以下领域:
1. 卫星通信:用于低轨和同步轨道卫星的上行链路和下行链路功率放大。
2. 军用雷达:作为雷达发射机的核心组件,提供稳定的高功率输出。
3. 点对点微波通信:实现长距离地面无线通信中的信号增强。
4. 测试与测量设备:在高性能测试仪器中用作信号源放大器。
5. 其他高功率射频应用:如电子对抗、无人机通信等。
EMF316AB7475HLNT, EMF316AB7475SLPT