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2N6174 发布时间 时间:2025/9/3 9:54:16 查看 阅读:13

2N6174 是一款常用的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率开关应用中。该器件具有低导通电阻、高电流容量和良好的热稳定性,适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等电路中。作为一款TO-220封装的MOSFET,2N6174 具有良好的散热性能和较高的可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):约0.035Ω
  功耗(Ptot):150W
  封装形式:TO-220

特性

2N6174 MOSFET具有多项优良特性,使其在功率电子设计中广受欢迎。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低在高电流条件下的导通损耗,提高系统的整体效率。该器件的Rds(on)典型值为0.035Ω,在同类产品中具有较强的竞争力。
  其次,2N6174 支持高达40A的连续漏极电流,适用于需要高功率处理能力的应用场景。同时,其最大漏源电压为60V,适合用于中等电压范围的电源系统,如电池供电设备、DC-DC转换器和负载开关等。
  此外,2N6174 采用TO-220封装,具有良好的散热性能,能够在较高功率下稳定工作。该封装形式也便于安装和散热片连接,提高了其在工业和汽车应用中的适用性。
  该器件还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性,能够承受短时间的过载和高能脉冲,增强了系统的可靠性。栅极驱动电压范围宽,兼容常见的10V和12V驱动电路,便于与PWM控制器或微控制器接口连接。
  由于其高可靠性和良好的电气性能,2N6174 被广泛用于电机控制、电源开关、逆变器和功率放大器等电路中。

应用

2N6174 主要用于高功率开关电路中,常见于以下应用领域:
  1. DC-DC升压/降压转换器:用于电源管理模块,提高能量转换效率;
  2. 电机驱动和H桥电路:适用于电动工具、机器人和自动化设备中的直流电机控制;
  3. 功率开关和负载控制:如继电器替代、LED驱动、电池充电管理等;
  4. UPS和逆变器系统:用于不间断电源和太阳能逆变器中的功率开关元件;
  5. 工业控制系统:用于PLC、自动化设备和电源模块中的高电流控制应用。

替代型号

IRFZ44N, FDP6120, STP40NF60, FQP40N60

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