时间：2025/7/17 21:38:36
阅读：6
EMF30N02J 是一款 N 沣道通的场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-252 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种功率转换和负载切换应用。它能够在高频条件下提供高效的性能，并具备出色的热稳定性，非常适合用于工业、汽车和消费类电子设备中的电源管理电路。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.5mΩ
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-252
EMF30N02J 的主要特点是其低导通电阻，仅为 2.5mΩ，这使其在高电流应用中能够显著减少功率损耗。此外，该 MOSFET 支持高达 30A 的连续漏极电流，适合需要大电流处理能力的场景。
它的栅极阈值电压较低，便于驱动，同时具备快速开关特性，有助于降低开关损耗。
由于其较高的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），这款器件在极端环境条件下也能保持稳定运行。结合其 TO-252 封装，EMF30N02J 提供了良好的散热性能。
EMF30N02J 广泛应用于直流-直流转换器、电机驱动、电池保护电路、负载开关以及各类电源管理系统中。其强大的电流承载能力和高效性能，使其成为许多高功率应用的理想选择。此外，它也常被用作汽车电子中的功率开关组件，例如启动马达控制或车载充电器中的关键元件。
EMF30N02K, IRFZ44N, FDP150AN
