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EMF21-7 发布时间 时间:2025/12/26 12:19:33 查看 阅读:27

EMF21-7是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装(SMD)瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),专为保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应等瞬态过电压事件的影响而设计。该器件集成了多个高性能TVS二极管,采用紧凑型封装,适用于高密度印刷电路板布局。EMF21-7特别适用于高速数据线路的保护,如通用串行总线(USB)、高清多媒体接口(HDMI)、DisplayPort、音频/视频端口以及其他需要低电容和快速响应时间的应用场景。其结构基于先进的半导体工艺制造,能够在纳秒级时间内响应瞬态电压冲击,并将过电压钳位于安全水平,从而有效防止下游集成电路因过压而损坏。此外,EMF21-7具备优良的热稳定性和长期可靠性,符合RoHS环保要求,并通过了多项国际安全与电磁兼容性认证,适合在消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子等领域中广泛应用。

参数

类型:瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array)
  通道数:6通道
  工作电压(VRWM):5.0V
  击穿电压(VBR):典型值6.4V(最大7.1V)
  钳位电压(VC):13.0V(@ IPP = 1A)
  峰值脉冲电流(IPP):1A(8/20μs波形)
  峰值脉冲功率(PPPM):100W(单线)
  电容值(Ct):典型值3.0pF(@ 1MHz, 0V偏置)
  漏电流(IR):最大1μA(@ VRWM)
  极性:双向
  封装形式:SOD-882(SC-110A)
  安装方式:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C(TJ)
  符合标准:IEC 61000-4-2(ESD ±15kV空气,±8kV接触);IEC 61000-4-4(EFT ±2kV);AEC-Q101(汽车级可靠性)
  无铅/符合RoHS:是

特性

EMF21-7的核心特性之一是其超低电容设计,每个通道的典型电容仅为3.0pF,在高频信号传输路径中几乎不会引入信号失真或衰减,因此非常适合用于保护高速差分对和单端信号线,例如USB 2.0、HDMI、MIPI、SD卡接口等。这种低电容特性结合其双向极性结构,使其能够应对正负方向的瞬态电压冲击,提供全面的过压保护能力。该器件采用先进的硅雪崩技术,在受到ESD事件时可在小于1纳秒的时间内迅速导通,将瞬态能量泄放到地,同时将线路电压钳制在安全范围内(典型钳位电压为13V),从而避免后级CMOS逻辑电路或模拟前端被击穿或锁死。
  另一个关键优势是其紧凑的SOD-882封装,尺寸仅为1.6mm × 1.6mm × 0.55mm,节省宝贵的PCB空间,适用于便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积要求苛刻的产品。尽管体积小,但EMF21-7仍具备出色的热管理和功率耗散能力,可在短时间内承受高达100W的峰值脉冲功率(每通道)。其额定工作电压为5V,完美匹配现代低压数字系统的电源轨需求,确保正常工作时不产生额外功耗或漏电问题。此外,该器件具有极低的漏电流(最大1μA),有助于延长电池供电设备的工作寿命。
  EMF21-7还通过了严格的国际电磁兼容性测试标准,包括IEC 61000-4-2 Level 4(±15kV空气放电,±8kV接触放电)和IEC 61000-4-4(±2kV EFT),表明其在严酷电磁环境中仍能保持稳定可靠的保护性能。对于汽车电子应用,该器件符合AEC-Q101应力测试标准,可用于车载信息娱乐系统、摄像头模块、传感器接口等需要高可靠性的场合。整体而言,EMF21-7是一款高性能、小型化、多功能的ESD保护解决方案,兼顾电气性能、物理尺寸和环境适应性,满足现代电子系统日益增长的防护需求。

应用

EMF21-7广泛应用于各类需要高等级静电放电(ESD)保护的电子设备中,尤其适用于高速数据接口和便携式消费类电子产品。在智能手机和平板电脑中,它常被部署于USB Type-A或Type-C端口的数据线(D+ / D-)、音频耳机插孔、SIM卡槽、TF/SD卡接口等位置,防止用户插拔过程中产生的静电损坏主控芯片或存储单元。在笔记本电脑和显示器设备中,该器件可用于HDMI、VGA、DisplayPort等视频输出端口的信号线保护,确保图像传输稳定性并提升整机EMC性能。此外,在工业控制领域,EMF21-7可用于PLC模块、人机界面(HMI)、现场总线通信接口(如RS-485、CAN)的信号调理电路中,抵御工厂环境中常见的电快速瞬变脉冲群(EFT)干扰。在汽车电子方面,由于其符合AEC-Q101标准,EMF21-7可应用于车载导航系统、倒车影像摄像头、车内娱乐终端、OBD-II诊断接口等部件,提供可靠的瞬态电压防护。其他潜在应用场景还包括智能家居网关、无线路由器、数码相机、便携式医疗设备以及IoT物联网节点设备中的各类I/O端口保护。无论是在恶劣电磁环境下的工业设备,还是对尺寸和功耗极为敏感的移动终端,EMF21-7都能以其优异的响应速度、低寄生参数和高可靠性发挥关键作用,显著提升系统的耐用性和用户体验。

替代型号

[
   "EMF21-3",
   "SMF21-7",
   "SRV05-4",
   "RCLAMP2494Z",
   "TPD2EUSB24"
  ]

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EMF21-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 NPN 预偏压式,1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA,500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V,12V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,5V / 270 @ 10mA,2V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz,280MHz
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-563
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称EMF21-7-NDEMF21DITR