EMB50B03G 时间：2025/7/2 16:17:31 阅读：6

EMB50B03G是一款基于硅技术的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及负载切换等领域。该器件采用了先进的封装工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够显著减少能量损耗并提高系统性能。
　　该MOSFET具有出色的热特性和电气特性，非常适合要求高效能和可靠性的应用场合。此外，其小型化封装设计有助于降低整体解决方案的空间占用，从而为设计师提供更多灵活性。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：42A
　　导通电阻（典型值）：3.5mΩ
　　栅极电荷：75nC
　　开关速度：快
　　工作温度范围：-55℃ to 175℃
　　封装形式：TO-247

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功耗。
　　2. 高电流承载能力，支持大功率应用需求。
　　3. 快速开关特性，减少开关损耗，提升效率。
　　4. 出色的热稳定性，确保在高温环境下仍能稳定运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
　　6. 提供可靠的电气保护功能，如过流保护和短路耐受能力。

应用

1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. 直流-直流转换器中的功率开关。
　　3. 电机控制与驱动电路中的功率级元件。
　　4. 工业设备中的负载切换和保护。
　　5. 新能源领域，例如太阳能逆变器和风力发电系统的功率调节模块。
　　6. 电动车及混合动力汽车的动力系统组件。