EMB09N03A 时间：2025/7/10 7:30:43 阅读：11

EMB09N03A是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效能和小型化的电子设备。
　　该MOSFET采用SOT-23封装形式，能够显著减少电路板空间占用，并且其电气性能适合于中小功率应用场合。

参数

型号：EMB09N03A
　　类型：N沟道MOSFET
　　VDS（漏源极击穿电压）：30V
　　RDS(on)（导通电阻）：0.9Ω（典型值，VGS=10V时）
　　ID（连续漏极电流）：1.5A
　　VGS（栅源极电压）：±20V
　　fmax（最大工作频率）：4MHz
　　封装形式：SOT-23

特性

EMB09N03A具备以下关键特性：
　　1. 低导通电阻确保了较低的传导损耗，从而提高整体效率。
　　2. 小型SOT-23封装，非常适合对空间要求严格的便携式设备。
　　3. 快速开关速度使得它在高频开关应用中表现出色。
　　4. 栅极电荷较小，驱动功耗低，有助于简化驱动电路设计。
　　5. 高度可靠的电气性能，在各种温度和负载条件下保持稳定运行。
　　6. 支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和大规模制造。

应用

EMB09N03A主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源中的同步整流电路。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
　　3. 电池保护电路及负载切换控制。
　　4. 电机驱动和小型继电器替代方案。
　　5. 各类消费类电子产品，如智能手机充电器、平板电脑适配器等。
　　6. 工业控制中的信号隔离与放大功能实现。