型号：EMB07N04A
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：40V
　　连续漏极电流(Id)：7A
　　脉冲漏极电流(Idm)：28A
　　导通电阻(Rds(on))：13.5mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on))：17mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅源阈值电压(Vgs(th))：1.0V ~ 2.5V
　　栅极电荷(Qg)：10nC @ Vds=20V, Id=7A
　　输入电容(Ciss)：450pF @ Vds=20V
　　反向恢复时间(Trr)：未集成体二极管快速恢复
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

EMB07N04A采用东芝专有的沟槽式MOSFET结构，这种先进的制造工艺显著降低了器件的导通电阻（Rds(on)），从而减少了在大电流工作条件下的功率损耗，提升了系统的整体能效。该器件在Vgs=10V时，Rds(on)典型值仅为13.5mΩ，在同类40V N沟道MOSFET中处于领先水平，使其非常适合用于高密度电源设计，例如笔记本电脑主板上的DC-DC降压变换器或锂电池保护电路。
　　其低栅极电荷（Qg=10nC）特性意味着驱动该MOSFET所需的能量较少，能够有效降低控制器的驱动负担，尤其适用于高频开关应用，如同步整流、负载开关和脉宽调制（PWM）电机控制。同时，较低的输入电容（Ciss=450pF）也有助于加快开关速度，减少开关过渡时间，从而进一步降低动态损耗。
　　EMB07N04A的栅源阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保了在逻辑电平信号（如3.3V或5V）下也能可靠导通，增强了与微控制器、电源管理IC等数字电路的兼容性。这一特性使其可直接由GPIO引脚驱动，简化了外围电路设计，减少了额外电平转换电路的需求。
　　该器件采用SOP-8封装，不仅节省PCB空间，而且通过暴露焊盘（PowerPAD）设计实现了良好的热传导性能，有助于将内部产生的热量迅速传递到PCB上，提升长期工作的稳定性和可靠性。此外，EMB07N04A具备较强的抗雪崩能力和良好的热关断特性，能够在异常工况下提供一定程度的自我保护。
　　值得一提的是，该MOSFET符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（视具体批次而定），因此也可用于车载电子系统中的低边开关或LED驱动等应用场景。综合来看，EMB07N04A凭借其低Rds(on)、高速开关、逻辑电平兼容和高可靠性等优势，成为中小功率电源系统中极具竞争力的选择。

EMB07N04A主要应用于需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和移动电源中的电池充放电控制电路。其低导通电阻和高电流承载能力使其能够作为理想二极管使用，替代传统肖特基二极管以减少压降和发热。
　　在DC-DC转换器中，EMB07N04A常被用作同步整流开关，特别是在降压（Buck）拓扑结构中作为下管（Low-side MOSFET），其快速开关特性和低栅极驱动需求有助于提高转换效率并降低待机功耗。
　　此外，该器件也广泛用于各类负载开关电路，用于控制电源域的通断，实现系统的节能管理和热插拔保护。例如，在多电源轨系统中，EMB07N04A可用于控制不同电压域的上电时序，防止浪涌电流冲击。
　　在电机驱动领域，EMB07N04A可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的低端开关，配合高端P沟道或N沟道MOSFET实现双向控制。由于其具备较高的脉冲电流能力（Idm=28A），能够应对电机启动瞬间的大电流冲击。
　　其他应用场景还包括LED照明驱动、USB电源开关、热插拔控制器、逆变器和UPS电源系统等。得益于其SOP-8封装的小体积和表面贴装特性，EMB07N04A特别适合自动化生产流程，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等多个领域。

TPSMB7N04SP,TSM20N04CM