EMA30N03A 时间：2025/6/29 0:12:33 阅读：6

EMA30N03A 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景中。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的电气性能和可靠性，适用于各种电源管理和功率转换应用。EMA30N03A 的工作电压为 30V，能够提供较低的导通电阻，从而减少功耗并提高系统效率。
　　EMA30N03A 采用紧凑型表面贴装封装（如 TO-252 或 DPAK 封装），便于在高密度电路板上使用，并且具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ
　　栅极电荷：14nC
　　开关速度：快速
　　封装类型：TO-252/DPAK
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

EMA30N03A 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗，提升整体效率。
　　2. 快速开关能力，适用于高频开关应用。
　　3. 高电流承载能力，满足大功率应用需求。
　　4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　5. 紧凑型封装设计，节省 PCB 空间。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备要求。

应用

EMA30N03A 可用于多种电力电子领域，包括但不限于以下应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC/DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
　　3. 电机驱动和控制电路。
　　4. 电池保护和负载切换。
　　5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
　　7. 其他需要高效功率转换的应用场景。