时间：2025/8/2 12:25:27
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CS10N65F是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、逆变器等应用。这款MOSFET采用先进的平面工艺技术，具有低导通电阻和高可靠性。CS10N65F通常采用TO-220或TO-252封装，适合高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：10A
漏源电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：≤0.85Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55℃~150℃
封装类型：TO-220、TO-252等
CS10N65F具有低导通电阻，可以有效降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（650V）使其适用于高压电源应用。该器件还具有良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下稳定工作。
此外，CS10N65F的栅极驱动电压范围较宽，可以在不同的驱动条件下保持良好的性能。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，增强了系统的可靠性。
CS10N65F的封装设计有助于良好的散热性能，确保在高功率应用中保持稳定。该器件符合RoHS环保标准，适合环保要求较高的应用场合。
CS10N65F广泛应用于开关电源、AC-DC适配器、LED照明驱动电源、DC-DC转换器、电机控制器、电池充电器、逆变器以及各种高电压和高功率电子设备中。
STP10NM65N, FQA10N65C, IRF840, FDPF10N65S
