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CS10N65F 发布时间 时间:2025/8/2 12:25:27 查看 阅读:15

CS10N65F是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、逆变器等应用。这款MOSFET采用先进的平面工艺技术,具有低导通电阻和高可靠性。CS10N65F通常采用TO-220或TO-252封装,适合高功率密度设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(ID):10A
  漏源电压(VDS):650V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(ON)):≤0.85Ω(在VGS=10V时)
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装类型:TO-220、TO-252等

特性

CS10N65F具有低导通电阻,可以有效降低导通损耗,提高系统效率。其高耐压能力(650V)使其适用于高压电源应用。该器件还具有良好的热稳定性和过载能力,能够在高温环境下稳定工作。
  此外,CS10N65F的栅极驱动电压范围较宽,可以在不同的驱动条件下保持良好的性能。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力,增强了系统的可靠性。
  CS10N65F的封装设计有助于良好的散热性能,确保在高功率应用中保持稳定。该器件符合RoHS环保标准,适合环保要求较高的应用场合。

应用

CS10N65F广泛应用于开关电源、AC-DC适配器、LED照明驱动电源、DC-DC转换器、电机控制器、电池充电器、逆变器以及各种高电压和高功率电子设备中。

替代型号

STP10NM65N, FQA10N65C, IRF840, FDPF10N65S

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