电容值：3.3pF
　　容差：±0.5pF
　　额定电压：50V
　　介质材料：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0603（1.6mm x 0.8mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10000MΩ以上
　　温度系数：±30ppm/°C

ELS336GDB/L5 具有非常稳定的电气性能，特别是在温度变化时，其电容值变化极小。这使得它非常适合用于高精度和高频电路中的应用。此外，该电容器具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），这有助于在高速电路中减少信号损耗和噪声。
　　该电容器的C0G（NP0）介质材料提供了优异的温度稳定性，使其在宽温度范围内保持恒定的电容值。同时，它还具有良好的频率响应，适用于射频（RF）和微波电路的设计。
　　ELS336GDB/L5 采用表面贴装技术（SMT）封装，便于在印刷电路板（PCB）上安装，减少了电路板空间的占用，并提高了生产效率和可靠性。此外，它还具有良好的焊接性能，确保了长期使用的稳定性。

ELS336GDB/L5 常用于射频（RF）和微波电路中，作为滤波器、振荡器和放大器中的关键元件。它也适用于高精度模拟电路，如运算放大器和滤波器电路中的旁路和去耦电容。此外，该电容器还广泛应用于通信设备、测试仪器、工业控制系统以及汽车电子系统中。
　　在射频电路中，ELS336GDB/L5 的低ESR和ESL特性有助于减少信号失真和噪声，提高系统的整体性能。在汽车电子应用中，它的宽工作温度范围确保了在极端环境下的可靠运行。此外，在测试和测量设备中，该电容器的高稳定性和低温度系数使其成为理想的校准和参考元件。

GRM1885C1H3R3JA01D, C0603C330J5GAC7801