时间：2025/5/19 19:08:13
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ELJRF4N7DFB 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，适用于高频开关应用。该器件采用先进的封装技术，提供卓越的热性能和电气性能，适合高功率密度设计。
该器件的主要特点是低导通电阻、高开关速度以及出色的效率表现，使其成为电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动等应用的理想选择。
类型：功率晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：4 A
导通电阻：70 mΩ
栅极电荷：30 nC
开关频率：最高支持 5 MHz
封装：DFB（Direct Flip-Bond）
1. 基于氮化镓技术，具备更低的导通电阻和更高的效率。
2. 支持高频操作，能够显著减小无源元件的尺寸。
3. 先进的 DFB 封装技术提供了优异的散热性能和电气连接。
4. 内置 ESD 保护电路，增强系统可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 开关电源 (SMPS)
3. 电机驱动和控制
4. 可再生能源逆变器
5. 工业自动化设备中的高频功率转换模块
ELJRF4N7DSB, ELJRF5N8DFB
