类型：光耦合器
　　输入侧：红外LED
　　输出侧：光敏晶体管
　　电流传输比（CTR）：50%~600%（具体取决于型号后缀）
　　最大正向电流（IF）：50 mA
　　最大反向电压（VR）：5 V
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大功耗：150 mW
　　工作温度范围：-55°C~+125°C

EL817B 的核心特性之一是其优异的电流传输比（CTR）性能，CTR 范围从50%到600%，使得该器件在不同的工作条件下均能保持稳定的信号传输能力。CTR 的高低直接影响光耦的驱动能力和响应速度，EL817B 提供了多种后缀版本（如000、A、B、C等）以满足不同应用对CTR的需求。此外，EL817B 具有较高的隔离电压，通常可达到5000 Vrms以上，确保输入和输出之间的电气隔离，防止高压干扰或损坏后续电路。
　　EL817B 采用双列直插式（DIP）封装，通常为4引脚结构，便于在PCB上安装和焊接。其封装材料具有良好的耐高温和耐老化性能，适用于恶劣的工作环境。该器件的响应速度适中，适用于中低频信号的隔离传输，在开关电源反馈环路、工业自动化控制、继电器驱动和信号隔离等方面表现出色。
　　另外，EL817B 的功耗较低，典型工作电流在几毫安级别，有利于降低系统功耗和发热。它还具备较强的抗干扰能力，能够在存在电磁干扰的工业环境中稳定工作。

EL817B 主要用于需要电气隔离的电子系统中，如开关电源中的反馈信号隔离、PLC（可编程逻辑控制器）输入输出隔离、工业自动化设备的信号传输、电机控制电路中的隔离驱动、通信设备的接口隔离等。此外，它还可用于数字信号隔离、电平转换、传感器信号隔离以及安全保护电路中。

PC817、LTV817、TLP521、HCNR200