类型：光电晶体管输出光耦合器
　　电流传输比（CTR）：50%～600%（取决于型号后缀）
　　正向电流（IF）：最大60mA
　　集电极-发射极电压（Vce）：最大30V
　　工作温度范围：-40°C至+100°C
　　隔离电压：5000Vrms
　　响应时间：约18μs（上升时间）/18μs（下降时间）
　　封装类型：4引脚DIP

EL817B/EL817S1(B)(TA)-EG 光耦合器具有多个关键特性，使其适用于广泛的电子系统设计。首先，它提供了高隔离电压（5000Vrms），能够有效隔离高压与低压电路，确保系统的安全性和稳定性。这在工业自动化、电力监控等高电压环境中尤为重要。
　　其次，该器件的电流传输比（CTR）范围较宽，通常在50%～600%之间，具体数值取决于后缀标识（如B、C、D等）。CTR的高可调性使得该光耦在不同应用中具有良好的信号传输能力和适应性，能够满足从低功耗控制到高精度信号隔离的需求。
　　此外，EL817B/EL817S1(B)(TA)-EG 的响应时间约为18微秒（上升和下降时间相近），适合用于中低速信号隔离场合，如开关电源反馈、继电器控制、逻辑电平转换等。其工作温度范围为-40°C至+100°C，适用于较为严苛的工作环境，提高了器件在工业级应用中的可靠性。
　　在封装方面，该光耦采用标准4引脚DIP封装，便于安装和更换，且与许多主流光耦器件兼容，有利于简化设计和维护流程。

EL817B/EL817S1(B)(TA)-EG 主要应用于需要电气隔离的电子系统中，特别是在工业自动化和电源管理系统中具有广泛用途。例如，在开关电源（SMPS）中，该光耦常用于反馈回路中，将次级侧的电压或电流信号隔离后传输至初级侧控制器，从而实现稳定的输出电压调节。这种应用方式在反激式、正激式等拓扑结构中尤为常见。
　　此外，该光耦也广泛应用于PLC（可编程逻辑控制器）、变频器、伺服驱动器等工业控制设备中，用于隔离控制信号与执行机构之间的电路，防止高压干扰或损坏控制单元。在电机控制、继电器驱动等场合，EL817B/EL817S1(B)(TA)-EG 可用于实现低电平控制与高电压负载之间的安全隔离。
　　在通信设备中，该光耦可用于隔离RS485、CAN等总线接口电路，防止不同设备之间的地电位差异造成干扰或损坏。同时，它也可用于数字隔离电路，实现微控制器与外围设备之间的信号隔离，确保系统稳定运行。

TLP521-1, PC817, HCPL-2601, LTV-817