类型：光电晶体管输出光耦合器
　　输入电流（IF）：最大60 mA
　　输入电压（VF）：典型值1.2 V @ 10 mA
　　输出晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：最大30 V
　　集电极电流（Ic）：最大150 mA
　　电流传输比（CTR）：最小20%，典型50% @ IF=5 mA，Vce=5 V
　　响应时间：上升时间最大4 μs，下降时间最大3 μs
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　隔离电压：5000 Vrms
　　封装类型：4引脚DIP，表面贴装（EL816S1）或直插式（EL816C）

EL816C/EL816S1(C)(TU) 光耦具有良好的电气隔离性能，隔离电压高达5000 Vrms，适用于高电压隔离和噪声抑制。该器件具有较高的电流传输比（CTR），在5 mA输入电流下典型值为50%，确保信号传输的稳定性。EL816系列的响应时间较快，上升时间和下降时间分别最大为4 μs和3 μs，适合用于数字信号隔离和开关控制。
　　该光耦的输入LED采用高亮度砷化镓（GaAs）材料，具有较低的正向电压降和较长的寿命。输出光电晶体管具备良好的线性度，适用于模拟和数字信号的隔离传输。EL816C采用传统通孔封装，适合插件焊接；EL816S1则为表面贴装版本，适用于自动化生产流程。
　　该器件的工作温度范围宽达-55°C至+110°C，适用于各种工业环境。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺。EL816系列光耦的高可靠性使其广泛用于工业控制、电机驱动、电源管理、通信设备等应用。

EL816C/EL816S1(C)(TU) 光耦常用于工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、变频器、伺服驱动器等，用于隔离控制信号与高电压电路，防止干扰和损坏主控芯片。在电源管理应用中，该器件可用于反馈控制、过流保护和开关电源隔离。此外，该光耦也广泛用于通信接口中，如RS-485和CAN总线隔离，以提高通信的稳定性和抗干扰能力。
　　在电机控制领域，EL816系列可用于隔离PWM信号，实现对功率MOSFET或IGBT的控制。在智能电表、继电器控制、医疗设备等领域，该光耦也具有良好的应用表现。其高隔离电压和稳定的工作性能使其成为工业自动化和电力电子系统中不可或缺的元件。

TLP521-1,TLP185,TLP291,PC817,HCNR201