CBG321609U121T 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率转换芯片,专为高性能电源应用而设计。该器件采用先进的封装技术,能够提供卓越的开关性能和热管理能力,适用于工业、通信及消费类电子领域。
型号:CBG321609U121T
类型:GaN 功率晶体管
最大漏源电压:650V
持续漏极电流:16A
导通电阻:9mΩ
栅极驱动电压:6V
功耗:100W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-247
CBG321609U121T 具备低导通电阻和快速开关速度,使其在高频开关应用中表现出色。该芯片内置保护功能,例如过流保护和过温关断,提高了系统可靠性。
其主要特点包括:
- 高效率:
由于 GaN 技术的优异性能,CBG321609U121T 可以显著降低开关损耗和传导损耗,从而提升整体效率。
- 快速开关:
支持 MHz 级别的开关频率,适合小型化和轻量化的电源设计。
- 优化热管理:
通过增强型散热封装设计,芯片能够在高功率密度下保持稳定运行。
- 内置保护功能:
集成多种保护机制,确保在异常条件下设备的安全性。
- 易于驱动:
兼容标准逻辑电平驱动信号,简化了电路设计流程。
CBG321609U121T 广泛应用于各类高功率密度场景,具体包括:
- 开关电源(SMPS):
用于服务器、电信设备等高效率电源供应器。
- DC-DC 转换器:
适用于电动汽车充电器、工业自动化设备中的电源模块。
- 无线充电设备:
助力实现高效能量传输,缩短充电时间。
- 电机驱动控制:
用于家用电器、无人机等领域的无刷直流电机驱动电路。
- LED 驱动器:
支持大功率 LED 照明系统的高效调光与恒流控制。
CBG321609U120T, CBG321610U121T