工作温度范围：-55°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大输入电流（IF）：60 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大功耗：100 mW
　　电流传输比（CTR）：20% ~ 400%（取决于型号后缀）
　　响应时间：约10 μs
　　隔离电压：5000 Vrms
　　封装类型：6-PDIP

4N26光耦合器的核心特性是其优良的电气隔离性能，其隔离电压高达5000 Vrms，能有效防止高压侧对低压侧的干扰和损坏，提高系统的安全性和稳定性。器件内部采用GaAs红外LED和硅光电晶体管结构，具有较高的灵敏度和响应速度，适用于中低速信号隔离应用。电流传输比（CTR）的范围较宽，通常在20%至400%之间，这使得设计人员可以根据具体应用需求选择合适的输入电流来驱动光电晶体管。此外，4N26的封装设计紧凑，便于在PCB布局中使用，并具有良好的抗电磁干扰（EMI）能力。
　　4N26的工作温度范围宽，适合在各种工业环境条件下使用。其最大输入电流为60 mA，集电极-发射极电压最大为30 V，能够满足多数低压系统的隔离需求。器件的响应时间约为10微秒，虽然不如高速光耦快，但足以应对大多数中速控制信号的隔离需求。由于其成熟的设计和广泛的应用，4N26在市场上具有较高的可靠性和性价比。

4N26广泛应用于各种需要电气隔离的电子电路中，例如工业自动化控制系统中的信号隔离、电源管理系统中的反馈控制、通信设备中的接口隔离、变频器和电机控制电路中的隔离驱动等。此外，它也常用于医疗设备、测试仪器和家用电器中的安全隔离电路，以保护用户和设备免受高压或高电压瞬态干扰的影响。
　　在实际应用中，4N26可用于将微控制器或其他数字电路与继电器、马达驱动器、固态继电器（SSR）等高压负载隔离，确保低压侧的控制电路不受高压侧的影响。在电源管理方面，4N26可用于隔离反馈信号，实现开关电源中的电压或电流反馈控制。由于其良好的抗干扰性能，4N26也被广泛用于RS232、RS485等通信接口的隔离电路中。

EL4N26与4N25、4N27、4N35、TLP521、PC817、MOC3020等型号具有一定的兼容性。其中，4N25与4N26的结构相似，但CTR较低；4N27采用达林顿输出结构，具有更高的增益；4N35则具有不同的封装和电气特性。TLP521和PC817是常见的替代型号，适用于更广泛的工业应用。MOC3020则主要用于可控硅（TRIAC）驱动应用。