时间：2025/7/25 1:31:41
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DS1225AB-100 是由 Maxim Integrated（原 Dallas Semiconductor）生产的一款非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该器件结合了高性能SRAM和非易失性存储技术，能够在电源失效时自动将SRAM数据保存到内部的EEPROM中，从而保证数据的长期存储。DS1225AB-100 提供了100引脚的塑料封装（TQFP），适用于需要高可靠性和数据持久性的应用。
容量: 512Kbit（64K x 8）
电源电压: 4.5V 至 5.5V
访问时间: 100ns
工作温度范围: 工业级（-40°C 至 +85°C）
封装类型: 100引脚 TQFP
接口类型: 并行异步SRAM接口
数据保存电流: 典型值 < 1.5mA（备份模式）
写入周期耐久性: 100万次
数据保存时间: 超过10年（在+70°C下）
NVSRAM 技术：DS1225AB-100 采用 Maxim 独有的非易失性存储技术，能够在断电时自动将SRAM中的数据保存到内部EEPROM中，确保数据不丢失。
高速访问：该芯片的访问时间为100ns，适合需要快速读写操作的应用场景，如高速缓存、实时数据记录等。
低功耗备份模式：在备份模式下，芯片仅需低于1.5mA的电流即可维持数据的完整性，适用于电池供电或低功耗系统设计。
自动存储和恢复功能：当检测到电源下降到临界电压时，芯片会自动启动数据存储操作，确保数据安全；当电源恢复时，数据会自动从EEPROM恢复到SRAM中。
高可靠性：该芯片具备100万次写入周期耐久性，并支持长达10年的数据保存能力（在+70°C条件下），适用于工业、通信和嵌入式系统等高可靠性要求的场合。
并行接口设计：采用标准的并行异步SRAM接口，兼容多种微控制器和处理器系统，简化了系统集成和开发流程。
工业控制系统：DS1225AB-100 适用于需要高可靠性和数据持久性的工业控制系统，如PLC、工业计算机和自动化设备，用于缓存实时数据和关键参数。
通信设备：在路由器、交换机和基站设备中，该芯片可用于存储配置信息、日志数据和临时运行数据，确保在网络中断或设备重启时数据不丢失。
医疗设备：在医疗监测和诊断设备中，DS1225AB-100 可用于存储患者数据、设备设置和临时测量结果，保障数据安全和系统稳定性。
嵌入式系统：适用于嵌入式系统的数据缓存和非易失性存储需求，如POS终端、智能电表和安防设备，提供高速读写和断电保护功能。
汽车电子：在车载导航、远程信息处理系统和车载诊断设备中，该芯片可用于存储关键数据和系统日志，支持车辆在各种电源状况下的稳定运行。
DS1225YB-100, CY14B108V1A, FM25V02-G
