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IRFW550ATM 发布时间 时间:2025/5/13 8:57:20 查看 阅读:3

IRFW550ATM 是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要高效率和低功耗的场景。该器件采用了先进的沟槽式技术,优化了开关性能和导通电阻,适用于多种工业和消费类电子设备中的电源管理模块。
  该型号属于OptiMOS系列,具有出色的热性能和电气特性,使其成为设计紧凑、高效电力转换电路的理想选择。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:87A
  导通电阻Rds(on):1.3mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:290W
  结温范围Tj:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247-3L

特性

IRFW550ATM 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗,提升整体系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常工作条件下的可靠性。
  4. 热稳定性强,能够适应恶劣的工作环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
  这些特性使得该器件非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等应用中。

应用

IRFW550ATM 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)中的功率转换级。
  2. 工业电机驱动和逆变器中的功率控制。
  3. 电动汽车充电设备及车载充电器。
  4. 大功率LED驱动器。
  5. 各种类型的负载开关和保护电路。
  其高电流处理能力和高效的功率传输特性,使其成为高性能电力电子系统中的关键元件。

替代型号

IRFB4410TRPBF, IRFZ44N, FDP55N06L

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IRFW550ATM参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压100 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流40 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.04 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-263
  • 封装Reel
  • 下降时间45 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)27.44 S
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散167 W
  • 上升时间20 ns
  • 工厂包装数量800
  • 典型关闭延迟时间80 ns
  • 零件号别名IRFW550ATM_NL