IRFW550ATM 是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于需要高效率和低功耗的场景。该器件采用了先进的沟槽式技术,优化了开关性能和导通电阻,适用于多种工业和消费类电子设备中的电源管理模块。
该型号属于OptiMOS系列,具有出色的热性能和电气特性,使其成为设计紧凑、高效电力转换电路的理想选择。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:87A
导通电阻Rds(on):1.3mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗Ptot:290W
结温范围Tj:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247-3L
IRFW550ATM 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗,提升整体系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频操作,降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常工作条件下的可靠性。
4. 热稳定性强,能够适应恶劣的工作环境。
5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
这些特性使得该器件非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等应用中。
IRFW550ATM 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)中的功率转换级。
2. 工业电机驱动和逆变器中的功率控制。
3. 电动汽车充电设备及车载充电器。
4. 大功率LED驱动器。
5. 各种类型的负载开关和保护电路。
其高电流处理能力和高效的功率传输特性,使其成为高性能电力电子系统中的关键元件。
IRFB4410TRPBF, IRFZ44N, FDP55N06L