时间：2025/8/29 18:03:36
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EL1119(TA)-VG 是一款由 Renesas Electronics（原 Intersil）制造的低功耗、双通道、CMOS 运算放大器。该器件专为需要高精度和低功耗的应用设计，适用于便携式设备、电池供电系统以及高密度电路设计。EL1119 采用微型封装，提供良好的性能和稳定性，具有单位增益稳定的特点，适合电压跟随器、信号调理、传感器接口等应用。
类型：运算放大器
通道数：2
电源电压：+2.7V 至 +12V
静态电流：每个通道 30μA（典型值）
带宽：1.5MHz（典型值）
压摆率：0.7V/μs
输入偏置电流：1pA（典型值）
输入失调电压：±0.5mV（最大值）
共模抑制比（CMRR）：80dB
电源抑制比（PSRR）：80dB
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TDFN-8
EL1119(TA)-VG 具备多项优异的电气特性，确保其在多种应用场景中都能提供可靠的性能。
首先，其低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备和便携式电子产品。每个通道的静态电流仅为 30μA，有助于延长设备的续航时间。
其次，该运算放大器具备 1.5MHz 的增益带宽积，能够支持中频信号处理应用，确保信号的完整性。压摆率为 0.7V/μs，能够在保持低功耗的同时提供良好的动态响应。
此外，EL1119(TA)-VG 采用了 CMOS 输入结构，输入偏置电流极低（典型值为 1pA），这使其适用于高阻抗信号源，如光电探测器和传感器接口。
该器件的输入失调电压最大为 ±0.5mV，具备较高的精度，能够在不增加额外校准电路的情况下满足大多数精密信号调理的需求。
在稳定性方面，EL1119(TA)-VG 是单位增益稳定的，适合用于电压跟随器配置，且在各种负载条件下都能保持良好的稳定性。
最后，该器件采用 TDFN-8 封装，节省 PCB 空间，适用于高密度电路板设计。
EL1119(TA)-VG 主要应用于以下领域：
在便携式设备中，如智能手表、健康监测设备和手持仪器，EL1119 的低功耗特性可有效延长电池寿命。
在传感器接口电路中，由于其低输入偏置电流和低失调电压，特别适用于连接高阻抗传感器，如压力传感器、温度传感器和光电二极管等。
在信号调理电路中，可用于放大、滤波和缓冲模拟信号，适用于数据采集系统和工业控制设备。
在电池管理系统中，可用于监测电池电压和电流，提供精确的信号处理能力。
此外，它还可用于音频放大器前端、医疗设备、精密测量仪器以及低功耗无线传感器网络节点等。
LMV358, MCP6022, TLV2462
