时间：2025/6/6 11:07:13
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EKB3A681K06FK5 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、低损耗的开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻和开关性能之间实现了良好的平衡，适用于工业、汽车以及消费电子领域中的各种电源管理场景。
该芯片具有优异的热特性和电气特性，能够显著降低系统功耗并提高整体效率。其封装形式经过优化，便于散热和集成到紧凑型设计中。
型号：EKB3A681K06FK5
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.2mΩ
Id（连续漏极电流）：95A
Qg（栅极电荷）：37nC
Vgs(th)（栅极开启电压）：2.6V~4.0V
fT（特征频率）：1.8MHz
封装：TO-247-3L
EKB3A681K06FK5 的主要特点是具备非常低的导通电阻 Rds(on)，这使得它在高电流应用中表现出色，同时大幅降低了传导损耗。此外，其较低的栅极电荷 Qg 确保了快速的开关速度，从而减少了开关损耗。
这款 MOSFET 还支持高频操作，并提供可靠的短路保护能力。其出色的热阻性能可以有效防止过热现象的发生，延长器件寿命。另外，由于采用了 TO-247-3L 封装，因此安装简单且散热效果良好。
总体而言，EKB3A681K06FK5 是一种高效能、高可靠性的功率半导体元件，非常适合要求严苛的现代电力电子应用。
EKB3A681K06FK5 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源 (SMPS)
- 直流-直流转换器
- 电机驱动与控制
- 太阳能逆变器
- 电动车牵引逆变器
- 工业自动化设备
- 通信电源
凭借其卓越的性能指标，此器件成为许多大功率、高频率系统的理想选择。
EKA3A681K06FK5
EKB3A680K06FK5
