时间：2025/9/2 10:45:40
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HY57V281620HCLT-H 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片是一款高速、低功耗的CMOS动态存储器，广泛应用于需要大容量内存的电子设备中，如计算机、嵌入式系统和工业控制设备等。该器件采用CMOS工艺制造，具有高性能和稳定性。
容量：16M x 16 / 256Mb
组织方式：x16
封装：TSOP（Thin Small Outline Package）
电源电压：3.3V
工作温度范围：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
接口类型：并行接口
最大访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
封装尺寸：54引脚
HY57V281620HCLT-H 是一款高速DRAM存储器，具有出色的性能和可靠性。该芯片采用先进的CMOS技术制造，确保了低功耗和高集成度。其16位的数据总线宽度使其适用于需要大量数据存储和快速访问的场合。该器件支持标准的DRAM控制信号，包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）、写使能（WE）和输出使能（OE），便于与各种主控芯片进行接口连接。
该芯片的工作电压为3.3V，符合低电压工作趋势，有助于降低系统功耗。其封装形式为54引脚TSOP，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业环境下的高可靠性应用。HY57V281620HCLT-H 的最大访问时间为5.4ns，意味着其存取速度非常快，能够满足高性能嵌入式系统和通信设备的需求。
此外，该芯片的刷新周期为64ms，符合标准DRAM的自动刷新机制，确保数据在断电前能够被周期性地重新写入，避免数据丢失。该器件的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种恶劣环境，如工业控制、车载系统和通信基础设施。
HY57V281620HCLT-H 广泛应用于需要高性能、低功耗和大容量存储的电子设备中。例如，它常用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备（如路由器和交换机）、视频采集与处理设备、便携式电子产品以及网络设备等。该芯片的高速访问能力和低电压特性，使其成为对性能和功耗都有较高要求的应用场景的理想选择。
IS42S16256BCLT-H6A, MT48LC16M2A2B4-6A
