EHR-2-E 时间：2025/12/27 16:54:27 阅读：15

EHR-2-E是一种高频、高效率的射频功率晶体管，专为在HF到VHF频段（如1.8 MHz至300 MHz）内工作的线性放大器应用而设计。该器件通常采用高可靠性陶瓷封装，具备良好的热稳定性和机械强度，适用于严苛环境下的工业、科学和医疗（ISM）设备以及商业广播系统。EHR-2-E以其出色的互调失真性能、高增益和大功率输出能力著称，是许多高性能射频发射机中的核心元件。该晶体管为NPN型硅双极结型晶体管（BJT），能够在AB类放大模式下高效运行，适合用于单边带（SSB）、调幅（AM）及宽带模拟调制信号的放大。其设计注重长期可靠性和抗负载失配能力，即使在高驻波比（VSWR）条件下也能安全工作，避免因反射功率导致的器件损坏。此外，EHR-2-E内置部分保护机制，如热关断预警特性，并可通过外部电路实现完整的过温、过流和过压保护。作为一款成熟的射频功率器件，它广泛应用于地面通信基站、短波广播发射机、电磁兼容测试设备以及高功率射频加热系统中。

参数

类型：NPN射频功率晶体管
　　最大集电极电流：2 A
　　最大集射极电压：65 V
　　最大基极电流：200 mA
　　最大耗散功率：200 W
　　工作频率范围：1.8 MHz 至 300 MHz
　　增益：≥20 dB（典型值，于28 MHz）
　　输出功率：175 W PEP（峰值包络功率）
　　封装形式：陶瓷金属封装（Cermet Seal）
　　输入阻抗：约5 Ω
　　输出阻抗：约50 Ω
　　热阻：0.25 °C/W（结到壳）

特性

EHR-2-E的核心优势在于其卓越的射频性能与坚固的物理结构。
　　首先，在电气特性方面，该晶体管具有宽广的工作频率响应能力，覆盖了从短波到甚高频的多个重要通信波段，使其成为多用途射频放大器的理想选择。其高功率增益减少了前级驱动的需求，降低了系统复杂度，同时保证了良好的信噪比和低相位失真。由于采用了先进的硅外延工艺制造，EHR-2-E在高频下的载流子迁移效率更高，从而提升了整体效率并减少了热积累。该器件能在AB类偏置下提供高达70%以上的集电极效率，显著降低电源功耗和散热需求。
　　其次，EHR-2-E具备优异的耐用性与稳定性。陶瓷金属封装不仅提供了极佳的气密性，防止湿气和污染物侵入，还确保了在极端温度变化下的长期可靠性。这种封装方式常见于军用或工业级应用中，能够承受剧烈振动、冲击和高温环境。器件的金属外壳便于安装于大型散热器上，有效传导热量，维持结温在安全范围内。此外，EHR-2-E对负载失配有较强的容忍能力，集成的扩散电阻层有助于均流分布，防止局部热点形成，从而避免二次击穿现象。
　　再者，该晶体管在非理想工作条件下的鲁棒性表现突出。即使天线端出现较高VSWR（例如5:1），其内部布局仍能通过动态阻抗匹配机制限制反射能量对内部结点的损害。配合外部定向耦合器和ALC（自动电平控制）电路，可实现闭环功率调节，进一步提升系统安全性。EHR-2-E还支持并联使用以扩展输出功率，多个器件间可通过适当的均流网络实现功率合成，适用于更高功率等级的应用场景。综上所述，EHR-2-E是一款兼顾高性能、高可靠性和工程实用性的射频功率晶体管，适用于对连续运行和信号保真度有严格要求的专业系统。