IXFH52N60C2 时间：2025/8/5 20:49:03 阅读：10

IXFH52N60C2 是一款由 Littelfuse（原 IXYS 公司）制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于需要高电流和高电压处理能力的功率电子应用。该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具有较低的导通电阻和较高的开关性能，适合用于工业电机控制、电源转换器、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）以及太阳能逆变器等应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：52A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1900pF（典型）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFH52N60C2 MOSFET 采用了先进的平面工艺技术，具有优异的热稳定性和耐久性，能够在高功率密度环境下可靠运行。
　　其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高频开关应用。
　　该器件具有良好的雪崩能量承受能力，能够有效应对电压尖峰和瞬态过压情况，提升系统的稳定性与安全性。
　　此外，该 MOSFET 的封装设计具有良好的散热性能，能够在高负载条件下维持较低的工作温度，延长器件使用寿命。
　　由于其高耐压和大电流能力，IXFH52N60C2 可广泛应用于功率因数校正（PFC）、DC-AC 逆变器、马达驱动器以及各种中高功率电源系统中。
　　该器件还具备良好的并联能力，便于在需要更大输出电流的应用中使用多个 MOSFET 并联操作，而不会出现明显的电流不均衡问题。

应用

IXFH52N60C2 主要用于各类功率电子系统中，如工业电机驱动器、电源模块、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电焊机、电磁加热系统以及各种中高功率 DC-AC 和 DC-DC 转换器。
　　它在电动汽车充电设备、储能系统和智能电网设备中也有广泛应用。
　　由于其优异的热特性和高可靠性，IXFH52N60C2 也常用于需要高效率和高稳定性的工业自动化设备和电力电子系统中。