时间：2025/6/30 12:29:02
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EFCH1950TCD1是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要应用于高效率功率转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适用于多种工业和消费类电子产品中的功率管理应用。
该型号特别优化了其热性能和电气特性，能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。此外，其紧凑的封装形式使其非常适合对空间要求严格的电路设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：23A
导通电阻：1.9mΩ
栅极电荷：78nC
输入电容：1780pF
典型阈值电压：2.1V
工作结温范围：-55℃至150℃
EFCH1950TCD1具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，适合现代高效功率变换器。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 先进的封装技术，确保良好的散热性能和长期可靠性。
5. 符合RoHS标准，满足环保要求。
6. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
这款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电池管理。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的功率转换设备。
IRF3710, FDP5800, STP170N06LC5
