类型：氮化镓场效应晶体管（GaN FET）
　　漏源电压（VDS）：35V
　　连续漏极电流（ID）：18A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.6mΩ
　　栅极电荷（QG）：14nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：四方扁平无引线封装（QFN）
　　尺寸：5.1mm x 6.1mm x 0.9mm
　　安装类型：表面贴装
　　技术：增强型氮化镓

35USC5600M22X30 是一款高性能的GaN FET，具有低导通电阻和极低的开关损耗，适用于高频开关电源应用。其采用EPC的eGaN FET技术，提供了比传统硅MOSFET更优越的性能。器件集成了栅极驱动器，简化了电路设计并提高了系统可靠性。该器件还具备高热效率，可在高温环境下稳定运行，适用于紧凑型电源设计。此外，35USC5600M22X30 支持更高的开关频率，从而减小了外部电感和电容的尺寸，提高了整体系统效率。
　　其封装设计优化了电气性能和散热能力，适用于高功率密度应用，如DC-DC转换器、负载点电源（POL）、无线充电系统和D类音频放大器等。该器件还具备良好的抗振铃能力，减少了EMI干扰，提升了系统稳定性。此外，其高可靠性设计使其适用于工业、汽车和通信设备等对稳定性要求较高的应用场景。

35USC5600M22X30 常用于高频DC-DC转换器、同步整流器、负载点电源（POL）、无线充电系统、D类音频放大器、电机驱动器以及各种高效率电源管理系统。由于其优异的高频性能和紧凑尺寸，该器件特别适合用于需要高功率密度和高效率的便携式电子设备、服务器电源和电信基础设施。

EPC2206、EPC2212、GS61004B、LMG5200