EEHZS1H221P 时间：2025/5/10 19:32:06 阅读：2

EEHZS1H221P 是一款由村田制作所（Murata）生产的片式压敏电阻，主要用于电路的过电压保护。它属于 MLV（Multilayer Varistor）系列，采用多层陶瓷工艺制造，具有高能效、快速响应和稳定的性能特点。该型号适用于各种消费电子设备、工业控制以及通信设备中的瞬态电压抑制需求。
　　EEHZS1H221P 的设计使其能够承受高浪涌电流并提供低漏电流，从而保护敏感的电子元件免受静电放电（ESD）、雷击和其他瞬态电压事件的损害。

参数

额定电压：22V
　　最大浪涌电流：50A
　　直径：1.0mm
　　厚度：0.5mm
　　封装类型：0402英寸
　　工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
　　响应时间：<1ns
　　漏电流：≤1μA

特性

EEHZS1H221P 具备以下显著特性：
　　1. 快速响应时间：其响应时间小于 1 纳秒，能够及时有效地抑制瞬态电压脉冲。
　　2. 高可靠性：在严苛的工作条件下仍保持稳定性能，适合长时间运行的设备。
　　3. 小型化设计：采用 0402 英寸封装，节省了 PCB 空间，非常适合紧凑型设计。
　　4. 宽温度范围：支持从 -55°C 到 +125°C 的宽温操作环境，适应多种应用场景。
　　5. 低漏电流：在正常工作条件下，漏电流极低，有助于降低功耗并提高系统效率。
　　6. 多层陶瓷结构：利用先进的多层陶瓷技术制造，确保产品具有高能量处理能力和长寿命。

应用

EEHZS1H221P 主要应用于以下领域：
　　1. 消费类电子产品：如手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备的电源接口保护。
　　2. 工业设备：用于工业自动化设备、传感器模块和通信接口的过电压防护。
　　3. 通信设备：包括网络交换机、路由器及无线接入点等的信号线和电源线保护。
　　4. 汽车电子：适用于汽车电子系统的 ESD 和浪涌保护，例如车载信息娱乐系统和导航系统。
　　5. 医疗设备：为医疗仪器中的关键组件提供保护，防止因瞬态电压导致的故障。