时间：2025/5/20 19:21:00
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EEHZA1H101V 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高开关速度，适用于各种高效能电源管理应用。其封装形式为 TO-263，具有良好的散热性能。
EEHZA1H101V 主要用于需要高效功率转换的应用场景中，如开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等。由于其低导通电阻特性，可以显著降低功耗并提升整体系统效率。
型号：EEHZA1H101V
类型：N 沟道增强型 MOSFET
封装：TO-263
漏源极电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷(Qg)：18nC（最大值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
输入电容(Ciss)：1050pF
EEHZA1H101V 具备多种卓越特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少传导损耗，提高效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，减少开关损耗。
3. 大电流承载能力，适用于高功率密度设计。
4. 宽广的工作温度范围，适合在极端环境下使用。
5. 小巧的 TO-263 封装形式，便于集成到紧凑型设计中。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
这些特性使得 EEHZA1H101V 成为许多工业及消费类电子设备的理想选择。
EEHZA1H101V 的典型应用领域包括：
1. 开关电源 (SMPS) - 提供高效的功率转换。
2. DC-DC 转换器 - 实现稳定的电压输出。
3. 电机驱动 - 控制电机的速度和方向。
4. 逆变器 - 将直流电转换为交流电。
5. 照明系统 - 如 LED 驱动器中的功率控制。
6. 工业自动化设备 - 在各类控制系统中作为功率开关。
通过利用 EEHZA1H101V 的高性能特点，可以在上述应用中实现更高的效率和更可靠的运行。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP16N10
IXFN16N10P
